IRFB3077PBF
IRFB3077PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 220nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9400pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 370W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB3077PBF手册
IRFB3077PBF概述
IRFB3077PBF 产品概述
IRFB3077PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由知名半导体制造公司英飞凌（Infineon）出品。该器件设计用于各种高功率应用，具有卓越的电气特性和耐用性，特别适合在极端环境下工作。以下是该产品的主要规格和应用领域的详细概述。
技术规格
基本参数：
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：75V
- 连续漏极电流（Id）：120A（在 25°C 的环境温度下，热沉温度为 Tc）
电阻和电流能力：
- 驱动电压（Rds On 的最大和最小值）：10V
- 在 75A、10V 时导通电阻（Rds(on)）：最大值为 3.3 毫欧
- 不同 Id 时 Vgs(th)（阈值电压）：最大值 4V @ 250µA
电容和电荷特性：
- 栅极电荷（Qg）：最大值 220nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大值 9400pF @ 50V
功率与热管理：
- 功率耗散（Pd）：最大可达 370W（在 Tc 时）
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C，支持严苛工作环境
封装与安装：
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220AB，适合在高性能散热以及功率应用中的安装需求
应用领域
IRFB3077PBF 具有出色的电流承载能力和低导通电阻，使其在多种应用中表现出色。该 MOSFET 主要适用于以下几个领域：
电源转换器：广泛用于开关电源（SMPS）中，适合高频DC-DC转换电路及逆变器，提高系统效率。
电机驱动：在工业和电动汽车的直流电机驱动中，可有效处理高频开关，提供高瞬态电流能力并保持较低的损耗。
电池管理系统：应用于电池充放电控制，尤其在需要快速响应和高效率的应用场景中。
LED 驱动：在LED照明和背光源驱动中，以良好的热管理特性支持高功率 LED 模块的驱动。
优势与特点
高效能：IRFB3077PBF 以低导通电阻和高电流能力，显著降低了能量损耗，从而提高了系统的整体效率。
广泛的工作温度范围：设计的工作温度从-55°C 到 175°C，使得该器件能够在极端环境下可靠工作，适用于航空航天、汽车电子以及工业控制等领域。
可靠性：此器件具备优良的热性能，能够长期稳定工作，而不易出现因过热而导致的失效。
简易安装：TO-220AB 封装类型便于在各种电路板上应用，并提供良好的散热能力。
总结
IRFB3077PBF 是一款理想的高功率 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和灵活的应用能力，适用于各类高效能电源管理及驱动电路。作为英飞凌公司的一款优质产品，IRFB3077PBF 旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。无论是在电源转换、电机控制还是能源存储应用中，此器件都展现出强大的市场竞争力。选择 IRFB3077PBF，您将获得卓越的性能与可靠的质量保障。