IRF9640STRLPBF
IRF9640STRLPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 500mΩ @ 6.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 毫欧 @ 6.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF9640STRLPBF手册
IRF9640STRLPBF概述
产品概述：IRF9640STRLPBF P沟道MOSFET
一、基本信息
产品名称：IRF9640STRLPBF
类型：P沟道场效应晶体管（MOSFET）
制造商：VISHAY（威世）
封装类型：D2PAK（TO-263-3）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
最大漂移电压（Vdss）：200V
最大漏极电流（Id）：11A（在25°C时）
最大功率耗散（Ta=25°C）：3W（Tc 可达125W）
二、技术规格
IRF9640STRLPBF是一款高性能的P沟道MOSFET，专门用于高压、高电流的应用场景，具有良好的热性能和电气性能。它能够在高达200V的漏源电压下稳定工作，同时支持最大11A的连续漏极电流，在25°C的标准条件下保持稳定。它的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为4V @ 250µA，特别适合在低栅压环境下工作，提供可靠的设备控制能力。
IRF9640的漏源导通电阻（Rds(on)）在6.6A和10V的条件下为500mΩ，显示出低导通损耗的优势。在电路设计中，这使得切换损耗及功耗最小化，提高系统效率，尤其是在高频开关电源和电动机驱动应用中。
三、电气特性
- 栅极电荷（Qg）：44nC @ 10V，提供快速的开关速度，适合高频应用。
- 输入电容（Ciss）：1200pF @ 25V，较大的输入电容使得其在构建高频PWM控制电路时具有好的表现。
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V，确保设备在各种操作条件下的可靠性。
这些电气特性使得IRF9640在各种轻负荷到重负荷应用中都有广泛的适用性。
四、应用领域
IRF9640STRLPBF MOSFET广泛应用于多个领域，包括：
- 电源管理：在开关电源、直流-直流转换器等电源管理设备中作为开关和线性调节器。
- 电动机控制：适用于直流电动机驱动、步进电机驱动和伺服电机驱动应用。
- 汽车电子：可用作各类控制电路，提升汽车电力系统的效率和稳定性。
- 电池管理系统：用于电池放电保护和充电控制。
五、设计优势
高效性: 低Rds(on)和高的额定电流值，使其在低功耗方面具有卓越表现，能够有效降低热生成和能量损耗。
高可靠性: 适应的广泛温度范围和优秀的功率处理能力（最大125W），极大提升了产品在严苛环境下的稳定性。
良好的电气特性: 低栅极电荷和输入电容，使得在高频应用中表现出色，能够显著提高系统的工作频率。
易于焊接: 表面贴装型（SMD）封装设计便于在现代自动化生产中快速装配。
六、结论
IRF9640STRLPBF是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其优越的电气特性和可靠性，为用户在高压、高电流应用中提供了理想选择。其广泛的应用领域从电源管理到电动机控制，充分体现了该元件在现代电子设计中的重要性。在追求高效能和高可靠性的应用场合，IRF9640都能够符合设计需求，为相关设计提供关键支持。