注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF830PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 74W 500V 4.5A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
4000(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.9按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.9
--
50+
￥2.24
--
1000+
￥1.86
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF830PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.5A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 2.7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 74W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 610pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF830PBF手册
无数据
IRF830PBF概述
IRF830PBF 产品概述
IRF830PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为电源管理应用而设计，具有不俗的电气性能和可靠性。这款MOSFET由著名的全球电子元器件制造商VISHAY（威世）出品，采用TO-220AB封装，适用于广泛的电子电路和行业应用。以下是其详细的产品特性和应用分析。
1. 基本参数
- 漏源电压（Vdss）: IRF830PBF的漏源电压为500V，能够处理高电压应用，适合中高压电源电路。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达4.5A，支持多种电流需求的场景。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为4V @ 250µA，表明在相对较低的栅电压下，这款MOSFET就能有效导通，适合低驱动电压的电路设计。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在2.7A、10V时的导通电阻值为1.5Ω，意味着在高电流下具有较低的功率损失，提升整体效能。
- 功率耗散: 最大功率耗散为74W，使其在高负载情况下的使用毫无顾虑。
- 工作温度范围: 该元件的工作温度范围广泛，支持-55°C至150°C的应用条件，适合苛刻的环境。
2. 电气性能
IRF830PBF拥有卓越的电气性能，其栅极电荷（Qg）最大值为38nC @ 10V，这一低值让其能够在较短的时间内快速切换，有效提升开关频率。此外，该元件的输入电容（Ciss）在25V下最大为610pF，显示出在高频操作时的良好响应能力。
3. 封装与安装
IRF830PBF采用TO-220AB封装，这种封装形式不仅提供了较好的散热性能，还便于散热器的安装，适合高功率应用。TO-220AB的安装方式为通孔，便于在电路板快速组装和更换。
4. 应用场景
凭借其高电压、高电流及优越的导通性能，IRF830PBF被广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 在DC-DC转换器和AC-DC电源中，IRF830PBF能有效转化和控制电能流动。
- 电机控制: 在电动机驱动中使用，能够快速开关电流，提升电机的效率和反应速度。
- 电池管理: 适于在各种可再充电电池组中进行能量管理。
- 焊接设备: 在需要高电流和高电压的焊接场合，IRF830PBF表现出色。
5. 结论
IRF830PBF是一款兼具高稳定性和高效率的N沟道MOSFET，适合多种高压电源及开关应用。凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景，IRF830PBF mens在当今电子行业中具备极高的价值。VISHAY（威世）凭借其长期的行业经验和对品质的严格把控，使得IRF830PBF产品成为众多设计工程师及开发者的重要选择，能够满足各种复杂电路的需求，是一个值得信赖的电子元器件。