FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 45A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 120nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3830pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 260W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF8010PBF 是英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET,它采用 TO-220AB 封装,具有卓越的电气性能和广泛的应用潜力。这款 MOSFET 主要用于高电压和高电流的开关应用,适用于电源管理、电动机驱动、直流-直流转换器等领域。
电压与电流规格:
导通电阻:
栅极电压特性:
输入电容:
功率耗散:
工作温度:
该产品采用 TO-220AB 封装,方便通孔安装,适合在散热需求较高的设备中使用。该封装设计有助于快速散热,提高其长期稳定性和可靠性。
电源管理:
电动机驱动:
汽车电子:
UPS(不间断电源):
综上所述,IRF8010PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适合多种高电压、高电流的电子应用。凭借其优异的导通电阻、较宽的工作温度范围和高功率处理能力,它在电源管理、电动机驱动及各种重负载应用中展现出极大的潜力。对于那些寻求高效率及可靠性的工程设计师和开发人员而言,IRF8010PBF无疑是一个值得选择的产品。