注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF5305STRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.8W；110W 55V 31A 1个P沟道 TO-263-2
库存 :
654(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.91按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.91
--
100+
￥3.13
--
800+
￥2.9
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF5305STRLPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF5305STRLPBF手册
无数据
IRF5305STRLPBF概述
产品概述：IRF5305STRLPBF
一、基本信息
IRF5305STRLPBF 是一种 P 通道 MOSFET （金属氧化物半导体场效应管），专为高效能电源控制和开关应用而设计。该器件拥有极佳的性能指标，包括较高的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流（Id），使其在各种严苛工作条件下保持可靠的运行。它的工作温度范围从-55°C到175°C，能够应对宽广的应用环境，尤其适合高温环境的工业和汽车电子产品。
二、主要参数
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)：55V
- 连续漏极电流 (Id)：31A（在 TC 的条件下）
- 驱动电压：最大 Rds On 和最小 Rds On 为 10V
- 导通电阻 (Rds(on))：在 Id 为 16A 和 Vgs 为 10V 时，最大导通电阻为 60 毫欧
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在 Id 为 250µA 时，最大值为 4V
- 栅极电荷 (Qg)：在 Vgs 为 10V 时，最大值为 63nC
- 输入电容 (Ciss)：在 Vds 为 25V 时，最大值为 1200pF
- 功率耗散：最大功率为 3.8W（在 Ta 条件下）和 110W（在 Tc 条件下）
三、性能指标分析
IRF5305STRLPBF 的优良性能不仅体现在其电气特性上，还表现在它的热管理能力。该器件能够在较高的功率耗散条件下运行，为设计师在高功率应用中提供了更多的灵活性。此外，它的输入电容值，为电路设计提供了快速响应能力，使得此器件非常适合于需要高频开关操作的应用。
四、封装与安装
该 MOSFET 封装为 D2PAK，符合 TO-263-3 封装标准，具有更好的散热性能和更高的集成度。表面贴装型的设计便于自动化生产线上的组装，提高了整体的生产效率。这种封装形式也使得 MOSFET 在电路板上的占用空间更小，有助于设计更紧凑的电子设备。
五、应用领域
IRF5305STRLPBF 广泛应用于各种领域，包括但不限于：
- 功率管理：作为切换元件和线性调节器，可以有效地在电源管理系统中控制电流。
- 电动汽车：在电源总线控制、电机驱动和充电器中发挥重要作用。
- 工业控制：诸如机器人技术中的电机控制、电源分配单元等高功率设备。
- 消费电子：如开关电源、LED 驱动、音频放大器等设备中都可以找到它的身影。
六、总结
IRF5305STRLPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET，凭借其宽广的工作温度范围、优异的电气特性及适应严苛环境的能力，使其成为多个行业的理想选择。其超低的导通电阻和良好的热管理能力，使得设计师能够在实现高效能的同时，确保系统的可靠性。无论是在高功率还是高温应用中，IRF5305STRLPBF 都将表现出色，在未来的发展中，将 continua 扮演重要角色。