注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF3710STRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2.343g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200W 100V 57A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
22(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
5.8按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.8
--
100+
￥4.63
--
800+
￥4.29
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF3710STRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 57A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3130pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF3710STRLPBF手册
无数据
IRF3710STRLPBF概述
IRF3710STRLPBF 产品概述
1. 概述
IRF3710STRLPBF是一款由英飞凌（Infineon）出品的高性能N沟道MOSFET场效应管。该器件具有额定漏源电压（VDS）为100V、连续漏极电流（ID）高达57A、以及功率耗散能力达到200W，广泛应用于各种高效能电源管理和负载开关的设计中。
2. 关键参数
- FET类型: N通道MOSFET
- 漏源电压 (VDS): 100V
- 连续漏极电流 (ID): 在25°C时为57A
- 导通电阻 (RDS(on)): 在10V栅极电压下，28A的情况下最大值为23毫欧
- 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 最大值4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 在10V时最大值为130nC，这意味着该器件在高速开关应用中具有良好的性能
- 输入电容 (Ciss): 最大值为3130pF @ 25V
- 最大栅极电压 (VGS): ±20V
- 工作温度范围: -55°C至175°C，适合各种严苛环境下的应用
- 封装类型: TO-263-3 / D²Pak（2引线 + 接片）
3. 应用领域
IRF3710STRLPBF特别适合于需要高功率和高效率的电子电源系统。其应用包括但不限于：
- 开关电源：广泛用于DC/DC转换器、AC/DC电源适配器等。
- 电机控制：在直流电机和步进电机的驱动及控制中提供可靠的开关解决方案。
- 电池管理系统：用于高效率的充电管理和功率分配。
- 汽车电子：支持电动汽车和混合动力汽车的高电压功率开关应用。
4. 性能特征
IRF3710STRLPBF的设计体现了高性能的特点。其低导通电阻RDS(on)不仅降低了功耗，还提升了热效率，减少了散热设计的复杂性。此外，该FET的阈值电压较低，使其在低电压驱动下仍能够稳定工作。这一特性极大地提升了系统的设计灵活性，适合与多种驱动电路配合使用。
5. 散热与安装
使用D2PAK封装，可以极大地提高散热能力。由于其广泛的安装面积和出色的热传导性，IRF3710STRLPBF能够有效管理功耗，防止在高负载或高温环境下的热失控问题。在实际应用中，为了保证最佳的表现，需要合理设计PCB布局，以最小化寄生电感和电阻，从而进一步优化器件性能。
6. 总结
IRF3710STRLPBF是一款性能优良的N沟道MOSFET，适用于各种高功率和高效率的应用场景。无论是在电源管理、电机控制还是汽车电子领域，其出色的电气特性和广泛的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。选用IRF3710STRLPBF，无疑是追求高性能电子设计工程师的明智选择。