FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 毫欧 @ 62A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 146nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3247pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 200W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
产品名称: IRF3205STRLPBF
类型: N 通道 MOSFET
封装: D2PAK
IRF3205STRLPBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司生产,采用卓越的材料和制造工艺,提供出色的电气性能。该元器件广泛应用于各类电力电子设备中,包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。
漏源电压 (Vdss): 55V
连续漏极电流 (Id): 110A(Tc)
导通电阻 (Rds On): 最大 8 毫欧 @ 62A,10V
栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg): 最大 146nC @ 10V
功率耗散: 最大 200W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
IRF3205STRLPBF 的广泛应用涵盖了多个领域:
IRF3205STRLPBF 的 D2PAK(TO-263-3)封装形式使得其在电路板上安装方便,同时其较大的散热面设计可以有效带走热量,提升器件的可靠性。D2PAK 的表面贴装设计有效节省了电路板空间,适合密集型布局。
综上所述,IRF3205STRLPBF 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET,具备高负载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围。它在电源管理、自动化控制以及工业应用中拥有良好的表现与适用性,凭借英飞凌的可靠性和先进制造技术,为各种电力电子设计提供了理想的解决方案。