IRF1407PBF
IRF1407PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.8 毫欧 @ 78A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 250nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5600pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF1407PBF手册
IRF1407PBF概述
产品概述：IRF1407PBF N通道MOSFET
IRF1407PBF是一款高性能的N通道MOSFET，由知名品牌英飞凌（Infineon）生产。该器件广泛应用于电源转换、马达驱动、 برق控和其他高电流、高效能的电子设备中。其主要特点包括卓越的导通电阻、宽广的工作温度范围和强大的漏源电压能力，使其成为高功率电子应用的理想选择。
基本参数
IRF1407PBF的漏源电压（Vdss）达75V，能够在高电压环境下稳定工作，使其适合用在较高电压要求的电路中。该MOSFET的连续漏极电流（Id）达到130A（在Tc的情况下），使其能够承受较大的负载电流，提供可靠的性能。其最大导通电阻（Rds(on)）为7.8毫欧，这意味着在高电流条件下的功耗非常低，从而提高了整体能效。
该器件的栅极驱动电压在10V时的表现尤为突出。最大Rds(on)和最小Rds(on)均在该电压下为最低的7.8毫欧，这使得它在高频率和高效率应用中具有很大的优势。此外，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250µA，这保证了MOSFET在低栅极电压下也能快速开启，大大提高了开关效率。
电气特性与性能
IRF1407PBF具有良好的输入电容（Ciss），其最大值为5600pF @ 25V。这使得在高频操作时器件能够快速响应，减少开关损失。这对在同步整流、开关电源和逆变器等应用中非常重要。在栅极电荷（Qg）的方面，其最大值为250nC @ 10V，意味着在驱动 MOSFET 时能够有效减少驱动器的功耗。
该器件的功率耗散能力极强，最大功率耗散为330W（在Tc条件下），保证了在高功率密度环境中也能正常工作。同时，IRF1407PBF的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C（TJ），使其能够在极端条件下依然保持稳定的性能。这一特性特别适合于汽车、工业控制及军事等高度要求的环境。
封装与安装
IRF1407PBF采用TO-220封装形式，具体为TO-220AB。此封装设计的优势在于其优越的散热性能，能够有效降低MOSFET在高负载条件下的温度，这对于延长设备的使用寿命至关重要。此外，TO-220AB的通孔安装类型方便在各种电路设计中快速集成，有助于提升实施效率。
应用领域
由于IRF1407PBF的高效率特性和良好的电气性能，使其在众多领域都有广泛的应用。典型的应用场景包括但不限于：
- 开关电源：用于AC/DC转换，提供高效的电力转化。
- 电动机驱动：作为电动机控制的开关器件，满足高电流需求。
- 逆变器：特别在可再生能源（如太阳能和风能）的逆变系统中，汇集效率和性能。
- 电池管理系统：在高电流充放电场合提供有效的开关管理。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中提供动力控制解决方案。
综上所述，IRF1407PBF是一款集高效能、可靠性及广泛适用性的高功率N通道MOSFET，为需要高电流和高电压的电子设计提供了优质的解决方案。其出色的特性使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。