驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.7V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.9A,2.3A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 40ns,20ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 14-SOIC |
IR21814STRPBF是一款高性能的栅极驱动集成电路,由英飞凌(Infineon)公司设计和制造。这款驱动器采用了先进的半桥配置,能够高效地驱动IGBT和N沟道MOSFET等功率器件,非常适用于各种需要高频率和高电压操作的应用,例如逆变器、直流-直流转换器和电动机驱动等。
IR21814STRPBF的驱动配置为半桥,具有两个独立的通道,能够独立地控制上下桥臂的开关状态,从而实现更高的灵活性和控制精度。这种设计使得其在多个应用中能够实现动态调节,比如优化电机控制或提升电流转换效率等。
该驱动器的供电电压范围为10V至20V,适应性强,能够满足不同应用的需求。在输出电流方面,IR21814STRPBF的峰值输出(灌入和拉出电流)分别达到1.9A和2.3A,此高峰值有助于快速充放电栅极电荷,从而提升开关速度,减少开关损耗。
IR21814STRPBF支持低逻辑电压的操作,其输入逻辑电压范围为VIL(低电平电压)为0.8V,VIH(高电平电压)为2.7V。这一特性使得它能够与多种控制信号兼容,非常友好地与微控制器和数字信号处理器(DSP)集成。此外,该器件采用非反相输入类型,简化了设计和系统集成。
在高压侧,IR21814STRPBF支持高达600V的最大自举电压,允许其在高压环境中可靠地操作。这一特性确保了其在高压应用中的安全性和稳定性,使用户可以放心地将其用于直流-交流逆变器和其它高压应用中。
该驱动器具有优异的开关特性,上升时间和下降时间在典型条件下分别为40ns和20ns。这些快速的开关时间特性使得IR21814STRPBF在高频应用中,能够有效降低开关损耗,提升系统效率,并增强散热性能。
IR21814STRPBF的工作温度范围从-40°C到150°C,适合在严酷的环境条件下使用。这一点对于工业应用及汽车相关电子产品至关重要,因为这些组件常常需要在极限的温度范围内持续工作。
该驱动器采用表面贴装型(SMD)封装,封装形式为14-SOIC,其宽度为3.90mm。这种紧凑的设计有助于节省电路板空间,并与现代SMT(表面贴装技术)生产工艺兼容,适合于各种小型化和集成化电子产品。
由于其高电压、高输出电流及快速的开关特性,IR21814STRPBF广泛应用于多个领域。这包括但不限于:
IR21814STRPBF是一款高性能、多功能的栅极驱动IC,适合各种高压、高频应用。其独立通道设计、强大的电压和电流承载能力、快速开关特性以及出色的环境适应性,使它成为现代电力电子设备中不可或缺的重要组成部分。无论是在工业、汽车还是消费电子中,IR21814STRPBF都能为客户提供优质的性能和可靠性。