驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 8.3V,12.6V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 80ns,40ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IR2111STRPBF 产品概述
IR2111STRPBF 是英飞凌公司(Infineon Technologies)推出的一款高性能栅极驱动器,专为驱动半桥结构的MOSFET和IGBT而设计。其独特的设计使其能够有效控制高压和高功率应用,清晰的逻辑电平输入使其在各种工业应用中表现出色。该产品具有可靠的性能和出色的稳定性,适用于电动机驱动器、逆变器、变换器及其他高效能的电源管理系统。
IR2111STRPBF 的主要特点包括:
IR2111STRPBF 采用表面贴装的8-SOIC封装,适应更紧凑的PCB布局。这种封装设计加强了对热管理的支持,同时不占用过多的电路板空间,方便集成到更复杂的电路系统中。
IR2111STRPBF 的设计使其适合于多种应用场合,主要包括:
IR2111STRPBF 除了具备上述技术规格外,其设计优势还包括:
IR2111STRPBF 是一款高质量的栅极驱动器,旨在满足现代电力电子系统对高效、高可靠性驱动解决方案的需求。其灵活的配置、优秀的性能和广泛的应用范围,使其成为设计电机控制系统、逆变器和高效电源转换器的理想选择。通过IR2111的应用,设计者可以有效提高系统的整体性能,从而在竞争日益激烈的市场中获得优势。