安装类型 | 表面贴装型 | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
驱动配置 | 半桥 | 输入类型 | 非反相 |
通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 上升/下降时间(典型值) | 25ns,17ns |
电压 - 供电 | 3.3V ~ 20V | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 500V |
IR2110STRPBF 是一种高性能的半桥栅极驱动器,广泛应用于电机驱动、电源转换、功率放大和其他需要驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 的场景。该元件由英飞凌(Infineon)公司生产,设计目的是为了解决高电压和快速开关特性等挑战。该驱动器充分满意现代电子设备在效率和可靠性方面的高要求。
安装类型: IR2110STRPBF 采用表面贴装型(SMD),方便集成到紧凑的电路板上,适合自动化生产。
逻辑电压: 该驱动器的输入逻辑电压范围为 6V(VIL)至 9.5V(VIH),意味着其可以接受较宽的逻辑电压,使其适用于多种数字电路。
驱动配置: IR2110STRPBF 是半桥驱动器,具有非反相输入类型,使得控制信号可以更加直观,降低了信号错误的可能性。
通道类型与驱动器数: 这款驱动器为独立式通道设计,并集成了两个驱动器,能够同时驱动两个功率MOSFET或IGBT,适合于半桥配置的功率转换应用。
电流输出: IR2110STRPBF 的峰值输出电流为2A(灌入和拉出),能够满足高开关频率下的驱动需求,确保MOSFET和IGBT能够迅速响应,从而实现高效的功率转换。
栅极类型: 该产品兼容IGBT和N沟道MOSFET,这使得它在各种功率电子应用中具有极大的灵活性。
工作温度范围: IR2110STRPBF 的工作温度范围为 -40°C 至 150°C,适合在极端环境条件下运行,满足工业应用的严格要求。
上升/下降时间: 上升时间为 25ns,下降时间为 17ns,表明该产品在快速开关操作中性能优越,能够减少开关损耗,提高系统的整体效率。
电压-供电: 该驱动器的供电电压范围为 3.3V 到 20V,适配不同的电源配置,为设计人员提供了更大的灵活性。
高压侧电压: 最大自举高压侧电压为 500V,确保了在高压操作过程中仍能安全稳定地工作,常见于高压转换等应用。
IR2110STRPBF 广泛应用于以下几个领域:
电机驱动: 在电机控制中,该驱动器可以直接驱动电机的开关元件,从而实现高效的控制过程。
功率转换: 适用于DC-DC变换器、逆变器以及其他功率电子设备,在电能转换过程中能够提高效率,减小能量损失。
氮化镓(GaN)与硅(Si)器件驱动: 支持新一代宽带隙半导体材料(如GaN),使其非常适合高频、高功率驱动应用。
通用电源管理: 可作为开关电源的组成部分,帮助实现稳压、稳流输出。
综上所述,IR2110STRPBF 是一款高效能、高可靠性的半桥栅极驱动器,具备广泛的输入电压、快速的开关时间、高温工作能力等特点,已成为功率电子和电机驱动行业中的重要选择。凭借其卓越的性能,IR2110STRPBF 在电源转换、电机驱动及现代电子设备中展现出极大的应用潜力,是工程师和设计师在追求高效电源管理解决方案时的理想选择。