FZT851TA 产品实物图片
FZT851TA 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT851TA

商品编码: BM0000282753
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 3W 60V 6A NPN SOT-223-3
库存 :
8(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.18
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.18
--
50+
¥1.68
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT851TA参数

额定功率3W集电极电流Ic6A
集射极击穿电压Vce60V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)6A电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)375mV @ 300mA,6A电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 2A,1V功率 - 最大值3W
频率 - 跃迁130MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

FZT851TA手册

FZT851TA概述

FZT851TA 产品概述

一、产品基本信息

FZT851TA 是一款高性能 NPN (负极性发射极) 晶体管,专为苛刻的高电流和高电压应用设计,满足现代电子设备的需求。其关键参数包括额定功率为 3W,最大集电极电流(Ic)可达 6A,集射极击穿电压(Vce)达到 60V,使其在各种电力控制和开关应用中表现优异。FZT851TA 采用表面贴装型封装(SOT-223),便于自动化焊接和组装,适应现代电子产品的小型化趋势。

二、技术规格

FZT851TA 的技术规格十分关键,适合多种应用场景。主要参数包括:

  • 额定功率: 3W
  • 集电极电流(Ic): 最大 6A
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大 60V
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,最大值为 375mV @ 300mA, 6A,表明其在开关状态时具有良好的效率。
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大为 50nA,表明其在关闭状态下极低的漏电流,有助于提高整体电路的稳定性。
  • DC 电流增益(hFE): 在特定条件下(100 @ 2A, 1V),即使在高负载下,FZT851TA 也能保持良好的电流增益。
  • 工作频率: 具有高达 130MHz 的跃迁频率,使其适合用于高频开关信号应用。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C(TJ),适应各种极端工作环境。
  • 封装类型: SOT-223,便于布局紧凑和实现高度集成。

三、应用场景

FZT851TA 在多个领域具有广泛的应用,包括但不限于:

  • 电源开关: 适用于电源管理电路中的高效开关元件。
  • 信号放大: 作为功率放大器,在音频和视频设备中提供信号增益。
  • 开关电源: 在开关电源中用作开关管,与不同的控制电路配合使用。
  • 汽车电子: 用于车载电子设备的控制和保护电路,确保在高温和极端条件下运行稳定。
  • 工业控制: 在自动化设备和工业控制系统中,用作驱动高功率负载的开关元件。
  • 通信设备: 由于其高频性能,可以在无线通信线路中用于信号调制和解调。

四、性能优势

  1. 高集电极电流: 6A 的集电极电流最大值支持大功率应用,适应高负载工作条件。
  2. 低饱和压降: 375mV 的低饱和压降显著降低了功耗,提高了电源的整体效率。
  3. 高工作温度范围: 可在极端气候条件下可靠工作,扩展了应用的温度范围。
  4. 尺寸优势: SOT-223 封装的紧凑设计适合于现代小型化电路,带来更高的设计灵活性。

五、总结

FZT851TA 作为一款高品质的 NPN 晶体管,凭借其在功率、频率和温度等多方面的优越性能,成为电子设计工程师的首选元件之一。其广泛的应用潜力,不仅满足了当前市场对高效能和高可靠性的需求,同时也为未来的创新电子产品提供了坚实的基础。在设计和选择相关电路时,FZT851TA 的各项优势将对提高产品性能、降低能耗、增强稳定性产生积极影响。选择 FZT851TA,您将拥有一款值得信赖的电子元件。