额定功率 | 3W | 集电极电流Ic | 6A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 375mV @ 300mA,6A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,1V | 功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 130MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT851TA 是一款高性能 NPN (负极性发射极) 晶体管,专为苛刻的高电流和高电压应用设计,满足现代电子设备的需求。其关键参数包括额定功率为 3W,最大集电极电流(Ic)可达 6A,集射极击穿电压(Vce)达到 60V,使其在各种电力控制和开关应用中表现优异。FZT851TA 采用表面贴装型封装(SOT-223),便于自动化焊接和组装,适应现代电子产品的小型化趋势。
FZT851TA 的技术规格十分关键,适合多种应用场景。主要参数包括:
FZT851TA 在多个领域具有广泛的应用,包括但不限于:
FZT851TA 作为一款高品质的 NPN 晶体管,凭借其在功率、频率和温度等多方面的优越性能,成为电子设计工程师的首选元件之一。其广泛的应用潜力,不仅满足了当前市场对高效能和高可靠性的需求,同时也为未来的创新电子产品提供了坚实的基础。在设计和选择相关电路时,FZT851TA 的各项优势将对提高产品性能、降低能耗、增强稳定性产生积极影响。选择 FZT851TA,您将拥有一款值得信赖的电子元件。