FZT655TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT655TA

商品编码: BM0000282751
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.188g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 150V 1A NPN SOT-223-3
库存 :
1770(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.66
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.66
--
50+
¥2.05
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT655TA参数

额定功率2W集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce150V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)150V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 200mA,1A电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)50 @ 500mA,5V功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁30MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

FZT655TA手册

FZT655TA概述

FZT655TA 产品概述

1. 引言

FZT655TA 是一款高性能 NPN 晶体管,专为各种电子应用而设计,其基本参数在功率转换、开关电路和放大电路中表现突出。这款晶体管由美台(DIODES)公司制造,并采用 SOT-223 封装,适合高密度表面贴装(SMD)设计。

2. 基本特性

FZT655TA 的主要技术参数包括:

  • 额定功率:2W
  • 集电极电流 (Ic):最大 1A
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 150V
  • 饱和压降 (Vce):在 200mA 和 1A 条件下最大为 500mV
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大 100nA
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为 50 @ 500mA 和 5V
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C
  • 频率:跃迁频率为 30MHz
  • 封装类型:SOT-223

这些参数使得 FZT655TA 特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

3. 应用场景

FZT655TA 可以广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:凭借其高达 150V 的集射极击穿电压,FZT655TA 非常适合开关电源(SMPS)中作为开关元件使用,能够处理高压电源的需求。
  • 线性放大器:通过其较高的电流增益,FZT655TA 也适用于音频放大器和其他线性放大电路,提供稳定的增益特性。
  • 驱动电路:能够顺利驱动各种负载,如继电器、电机等,使用时只需掌握正确的控制电流即可实现高效切换。

4. 封装与安装

FZT655TA 采用 SOT-223 封装,具有较小的尺寸和优良的散热性能。这种表面贴装型设计不仅有助于减少电路板空间,还能提高生产效率,降低制造成本。SOT-223 封装的引脚布局也适合多种焊接工艺。

在安装 FZT655TA 时,请确保遵循适当的焊接流程,可采用回流焊或波峰焊,以确保晶体管良好的连接和可靠性。建议在安装过程中使用适当的静电放电(ESD)防护措施,以避免元器件损坏。

5. 性能评估

FZT655TA 在许多环境条件下表现优异,其工作温度范围宽广,能够在恶劣的环境中稳定运行。其低截止电流和高增益特性,意味着在许多电源电路中都能提供较高的效率和性能。

此外,该晶体管在高频应用中的表现也相当令人满意,其跃迁频率为 30MHz,能够满足许多高频开关电路或 RF 应用的需求。

6. 结论

FZT655TA 是电子工程师在寻求高效、高可靠性以及高性能解决方案时的理想选择。这款 NPN 晶体管不仅在技术参数上满足现代电子设备的需求,还在应用灵活性、封装设计和环境适应性等方面展现出其卓越的性能。因此,无论是在工业控制、消费电子还是通讯领域,FZT655TA 都可以为设计师提供值得信赖的解决方案。