额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 150V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 200mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 500mA,5V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 30MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT655TA 是一款高性能 NPN 晶体管,专为各种电子应用而设计,其基本参数在功率转换、开关电路和放大电路中表现突出。这款晶体管由美台(DIODES)公司制造,并采用 SOT-223 封装,适合高密度表面贴装(SMD)设计。
FZT655TA 的主要技术参数包括:
这些参数使得 FZT655TA 特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
FZT655TA 可以广泛应用于以下领域:
FZT655TA 采用 SOT-223 封装,具有较小的尺寸和优良的散热性能。这种表面贴装型设计不仅有助于减少电路板空间,还能提高生产效率,降低制造成本。SOT-223 封装的引脚布局也适合多种焊接工艺。
在安装 FZT655TA 时,请确保遵循适当的焊接流程,可采用回流焊或波峰焊,以确保晶体管良好的连接和可靠性。建议在安装过程中使用适当的静电放电(ESD)防护措施,以避免元器件损坏。
FZT655TA 在许多环境条件下表现优异,其工作温度范围宽广,能够在恶劣的环境中稳定运行。其低截止电流和高增益特性,意味着在许多电源电路中都能提供较高的效率和性能。
此外,该晶体管在高频应用中的表现也相当令人满意,其跃迁频率为 30MHz,能够满足许多高频开关电路或 RF 应用的需求。
FZT655TA 是电子工程师在寻求高效、高可靠性以及高性能解决方案时的理想选择。这款 NPN 晶体管不仅在技术参数上满足现代电子设备的需求,还在应用灵活性、封装设计和环境适应性等方面展现出其卓越的性能。因此,无论是在工业控制、消费电子还是通讯领域,FZT655TA 都可以为设计师提供值得信赖的解决方案。