FZT651TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT651TA

商品编码: BM0000282750
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 60V 3A NPN SOT-223-3
库存 :
3426(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.16
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.16
--
50+
¥0.895
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT651TA参数

额定功率2W集电极电流Ic3A
集射极击穿电压Vce60V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 300mA,3A电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁175MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

FZT651TA手册

FZT651TA概述

FZT651TA 产品概述

1. 产品简介

FZT651TA是一款高性能的NPN型双极结晶体管(BJT),专为各种电子电路应用而设计,具备较高的功率处理能力和优异的频率特性。该产品以其稳定的性能和广泛的应用场景,适合用于开关电源、线性放大器及信号处理电路等多种领域。FZT651TA采用SOT-223封装,适用于表面贴装(SMT)技术,便于现代电子设备的高密度组装。

2. 主要参数

  • 额定功率: 2W
  • 集电极电流 (Ic): 最大3A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大60V
  • 不同Ib、Ic时的Vce饱和压降: 最大600mV @ 300mA,3A
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大100nA
  • DC电流增益 (hFE): 最小100 @ 500mA,2V
  • 频率 - 跃迁 (fT): 175MHz
  • 工作温度范围 (TJ): -55°C 至 150°C
  • 封装类型: SOT-223 / TO-261-4

3. 性能特征

FZT651TA晶体管具有较高的电流增益(hFE),可在多种负载条件下提供有效的信号放大能力。这使得其适用于高增益放大器设计和高频信号处理。在频率响应方面,FZT651TA的跃迁频率可达175MHz,适合用于高频应用,确保良好的信号完整性。

此外,其低饱和压降(Vce(sat))特性使其能够在开关模式中实现较高的效率,降低了功耗,提升了电路的整体性能。这对于电池供电的便携设备尤为重要,有助于延长电池寿命。

4. 应用场景

FZT651TA可广泛应用于如下场景:

  • 开关电源: 用于高效电源管理,提供稳压和电流控制。
  • 线性放大器: 适用于音频和射频信号放大,确保信号清晰且失真小。
  • 交替电流驱动: 合适驱动电机和继电器等负载,处理相对较高的电流。
  • 数码电路: 用于开关电路和数字信号的增强。
  • 保护电路: 实现过流、过压保护等功能,确保电子设备的安全运行。

5. 安装与兼容性

FZT651TA采用SOT-223封装,符合常见的表面贴装标准。这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还能够在有限的空间内实现高密度集成,适合现代电子产品的设计需求。对于PCB设计工程师而言,FZT651TA的引脚排列与其他市场上主流的NPN晶体管兼容,简化了设计和替换过程。

6. 环保与可靠性

FZT651TA符合RoHS指令,适合环保设备的设计。其工作温度范围宽泛,从-55°C到150°C的增量确保在严苛的工业环境和极限条件下依然可靠工作。此外,该晶体管的低集电极截止电流(ICBO)有助于提升电路的稳定性和可靠性,减少不必要的功耗。

7. 结论

FZT651TA是一款性能优异、应用广泛的NPN型双极结晶体管,具有2W的额定功率和60V的集射极击穿电压,非常适合现代电子设计的需求。无论是在开关电源、电流驱动、放大器还是保护电路中,FZT651TA都可以发挥重要作用。随着电子设备对高性能、低功耗、环境友好的需求不断增加,FZT651TA将是设计者的一项理想选择。