额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 3A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 300mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 175MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT651TA是一款高性能的NPN型双极结晶体管(BJT),专为各种电子电路应用而设计,具备较高的功率处理能力和优异的频率特性。该产品以其稳定的性能和广泛的应用场景,适合用于开关电源、线性放大器及信号处理电路等多种领域。FZT651TA采用SOT-223封装,适用于表面贴装(SMT)技术,便于现代电子设备的高密度组装。
FZT651TA晶体管具有较高的电流增益(hFE),可在多种负载条件下提供有效的信号放大能力。这使得其适用于高增益放大器设计和高频信号处理。在频率响应方面,FZT651TA的跃迁频率可达175MHz,适合用于高频应用,确保良好的信号完整性。
此外,其低饱和压降(Vce(sat))特性使其能够在开关模式中实现较高的效率,降低了功耗,提升了电路的整体性能。这对于电池供电的便携设备尤为重要,有助于延长电池寿命。
FZT651TA可广泛应用于如下场景:
FZT651TA采用SOT-223封装,符合常见的表面贴装标准。这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还能够在有限的空间内实现高密度集成,适合现代电子产品的设计需求。对于PCB设计工程师而言,FZT651TA的引脚排列与其他市场上主流的NPN晶体管兼容,简化了设计和替换过程。
FZT651TA符合RoHS指令,适合环保设备的设计。其工作温度范围宽泛,从-55°C到150°C的增量确保在严苛的工业环境和极限条件下依然可靠工作。此外,该晶体管的低集电极截止电流(ICBO)有助于提升电路的稳定性和可靠性,减少不必要的功耗。
FZT651TA是一款性能优异、应用广泛的NPN型双极结晶体管,具有2W的额定功率和60V的集射极击穿电压,非常适合现代电子设计的需求。无论是在开关电源、电流驱动、放大器还是保护电路中,FZT651TA都可以发挥重要作用。随着电子设备对高性能、低功耗、环境友好的需求不断增加,FZT651TA将是设计者的一项理想选择。