安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 40MHz | 功率 - 最大值 | 330mW |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 晶体管类型 | NPN 雪崩模式 |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 1mA,10mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 25 @ 10mA,10V |
FMMT417TD 是由DIODES(美台)生产的一款高性能NPN型晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在要求高集电极电流和高电压操作的场合。该器件基于有效的雪崩模式设计,能够承受高达100V的集射极电压(Vce),在500mA的集电极电流(Ic)下依然保持其优越的性能。
安装类型: 采用表面贴装(SMD)封装,具体为SOT-23,这使得FMMT417TD特别适合用于现代小型化电子设备。SOT-23的封装不仅使得PCB设计更加紧凑,也提高了生产效率。
电流特性: 最大集电极电流(Ic)为500mA,能够满足大多数应用对集电极电流的需求。同时,其最大集电极截止电流(ICBO)为100nA,表明在关闭状态下,器件的泄漏电流非常小。
工作温度: FMMT417TD的工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种苛刻的工作环境,确保其在高温或低温条件下的稳定性和可靠性。
频率响应: 该晶体管的跃迁频率达到了40MHz,适合应用于高频信号处理和开关电源等电路。
功率与电压: 其最大功率为330mW,额定集射极击穿电压(Vce (BR))为100V,使得FMMT417TD可以在高电压系统中灵活运用。
饱和压降和电流增益: 该器件在1mA和10mA的Ib下,Vce饱和压降最大值为500mV,显示出低功耗的特性。同时,DC电流增益(hFE)在10V和10mA的条件下最小可达25,这意味着该器件可以有效地提高信号放大能力,适合于各种放大器应用。
FMMT417TD因其卓越的性能和灵活性,适合多种应用,包括但不限于:
综上所述,FMMT417TD NPN三极管凭借其500mA的集电极电流能力,100V的电压耐受,极低的截止电流,以及广泛的工作温度范围,使其在现代电子应用中具备了良好的适应性和稳定性。无论是用于开关电路、放大器,还是复杂的信号处理方案,FMMT417TD都是一个值得信赖的选择。在设计电子设备时,将FMMT417TD作为关键元件,将有助于实现高效、稳定的电路性能。