额定功率 | 330mW | 集电极电流Ic | 300mA |
集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | NPN - Darlington |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.25V @ 8mA,800mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5000 @ 100mA,5V | 功率 - 最大值 | 330mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
概述:
FMMT38CTA 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,适用于各种低功耗应用。其额定功率为 330mW,集电极电流(Ic)最大值可达到 300mA,适合广泛的电子电路设计。得益于其高达 60V 的集射极击穿电压(Vce),FMMT38CTA 可在多种电源环境下安全稳定地工作,提供了极好的电流增益和可靠性。
主要特性:
高电流增益: FMMT38CTA 的直流电流增益(hFE)最小值为 5000 @ 100mA,5V。这意味着该器件在小输入电流下能够提供相对较大的输出电流,极大地降低了对驱动电流的需求,因此更适合处理复杂的开关或放大电路。
饱和压降低: 在典型的应用场景中,当 Ib 和 Ic 分别为 8mA 和 800mA 时,其 Vce 饱和压降最大值为 1.25V。这使得该晶体管在开关状态时能够有效减少功耗,从而提高电路的整体效率。
超低漏电流: FMMT38CTA 的集电极截止电流(ICBO)最大值为 100nA,确保了在关闭状态下几乎没有电流漏出,增强了电路的可靠性,尤其在低功耗应用中表现尤为显著。
广泛的工作温度范围: 此器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其适用于各种苛刻的环境条件,能够在工业、汽车及航空等应用中稳定运行。
小型化设计: FMMT38CTA 的表面贴装型(SMD)设计为 SOT-23 封装,极大地节省了电路板空间,适合高密度的电子产品设计需求。
适用场景:
FMMT38CTA 的高增益和低饱和压降特性,使其非常适合用于开关电源、信号放大、射频放大和开关电路等多种应用。例如,工程师可以利用它来驱动小型电机、继电器或 LED,以及用于音频放大器和开关调节器。此外,由于其超低漏电特点,它也适合长时间待机的设备,能够有效延长电池寿命。
品牌与可靠性:
FMMT38CTA 由 DIODES(美台)公司生产,该公司以其高品质的半导体器件而闻名。DIODES 作为业内知名品牌,其生产的元器件经过严格的测试,具有优异的稳定性和可靠性,广泛应用于各类商业和工业电子产品中。
总结:
因此,FMMT38CTA 作为一款高效的 NPN 达林顿晶体管,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,能够满足现代电子产品对性能和功耗的严格要求。无论是用于新产品设计的原型,还是在现有系统中进行升级,更换或替代,FMMT38CTA 都是一个理想的选择。