安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
技术 | FRAM(铁电体 RAM) | 存储器格式 | FRAM |
存储容量 | 256Kb (32K x 8) | 存储器类型 | 非易失 |
电压 - 供电 | 2V ~ 3.6V | 写周期时间 - 字,页 | 140ns |
存储器接口 | 并联 | 访问时间 | 140ns |
FM28V020-SGTR是一款高性能的铁电体随机存储器(FRAM),专为需要非易失性存储且快速读写操作的应用场景设计。该元器件的存储容量为256Kb(32K x 8),采用表面贴装型(SMD)封装,符合28-SOIC封装标准,便于在现代电子设备中进行集成和应用。
FM28V020-SGTR具有一系列优越的技术规格,使其在众多存储器中脱颖而出。它的工作温度范围为-40°C到85°C,能够适应各种严苛的工作环境,特别适用于工业、汽车及消费类电子产品的应用。该器件的电压供电范围为2V到3.6V,灵活的供电选项使得它可以兼容多种电源设计,进一步提升了其应用的广度。
其快速的写周期时间为140ns(字,页),以及同样的访问时间140ns,确保了高效的数据传输和读取性能。这一参数特别适合需要频繁更新存储内容的应用,如数据记录器、智能仪表和实时数据采集系统。同时,FRAM的特性使得该器件在写入过程中无需等待电源供电稳定,可以极大地提升系统的响应速度。
FM28V020-SGTR属于非易失性存储器,这意味着在断电状态下,存储的数据不会丢失。相比于传统的闪存和EEPROM,FRAM技术提供更高的耐用性,能够承受高达10^12次的写入/擦除周期,极大地延长了产品的使用寿命。这一特性使得它在大数据量存储和频繁数据更新的场合中表现得尤为出色。
该器件采用并行接口,简化了电路设计并提供了直接、快速的数据传输方式。其并行接口设计使得FM28V020-SGTR可以轻松与各种微控制器和处理器进行互连,这在设计开发过程中极大地提高了灵活性和系统的兼容性。在嵌入式系统和复合型设备中,它的并行接口可以显著减少数据传输的延迟,增强了系统的整体性能。
由于FM28V020-SGTR的特性和性能,它广泛应用于多种领域,包括但不限于:
FM28V020-SGTR以其256Kb的存储容量、高达10^12次的写入耐久性、宽广的供电电压范围及-40°C至85°C的工作温度范围,构成了一款具备竞争力的FRAM解决方案。该器件不仅满足了现代电子产品对于高速读写和持久存储的需求,还通过其低功耗特性,帮助设计师在节能方面实现更多的创新。随着对可靠存储需求的不断增长,FM28V020-SGTR将继续在众多应用领域中扮演重要角色,助力智能化、数字化的未来发展。