ES1D-E3/61T
ES1D-E3/61T参数
| 直流反向耐压（Vr） | 200V | 平均整流电流（Io） | 1A |
| 正向压降（Vf） | 920mV @ 1A | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 920mV @ 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 25ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 200V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA | 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
ES1D-E3/61T手册
ES1D-E3/61T概述
ES1D-E3/61T 产品概述
概述
ES1D-E3/61T 是一款由 VISHAY（威世）制造的标准二极管，特别设计用于满足各种电子电路中对整流和保护的需求。凭借其出色的性能参数，本产品尤其适合在高频、高温和高压环境下运行，使其成为工业、消费电子及医疗设备等多种应用场景的理想选择。
基础特性
直流反向耐压 (Vr): 该二极管具有200V的高耐压特性，能够在电路中承受逆向电压的冲击，有效降低电路过载和对元件的损伤。这使得 ES1D-E3/61T 特别适合于高电压电源和整流电路的应用。
平均整流电流 (Io): 二极管的平均整流电流达1A，能够在多种电力负载情况下稳定工作，适合于电源模块和低功耗设备中的应用。
正向压降 (Vf): 在1A的整流条件下，ES1D-E3/61T 的正向压降为920mV，这一参数在大多数应用中均属合理范围，确保了能量的高效转换与传输，降低了功耗和发热量。
反向恢复时间 (trr): 该元件具备快速恢复能力，其反向恢复时间小于等于500ns，尤其在大于200mA的条件下其反向恢复时间仅为25ns。这使得 ES1D-E3/61T 能够在高频应用中表现出色，如开关电源和脉冲电源系统。
反向泄漏电流: 在200V的逆偏下，反向泄漏电流仅为5µA，意味着即使在高电压下，其关断特性也非常良好，从而提高了电路的整体效率。
电容特性: 在4V、1MHz的测试条件下，其电容为10pF，这一低电容值使其适用于较高频率的电路设计中，而且不会显著影响信号的传输。
安装与封装
ES1D-E3/61T 采用 DO-214AC（SMA）表面贴装封装，适应现代电子产品向小型化和高密度化发展的趋势。其表面贴装设计使得在 PCB 板上的安装过程更加简便，提高了生产效率，同时也降低了对焊接工艺的要求。该封装不仅增强了散热性能，而且也提高了机械抗性。
工作温度范围
ES1D-E3/61T 的工作结温范围为-55°C 至 150°C，支持在极端环境下的工作，适应多种工业需求。这使得该二极管适合于航空航天、汽车电子和其他对环境耐受性有高要求的应用领域。
应用场景
基于以上特性，ES1D-E3/61T 可以广泛应用于以下场景：
- 整流电路: 在电源管理和电源转换中，作为桥式整流器的一部分，进行高效能量转换。
- 信号整流: 在音频及射频电路中，用于信号的整流处理。
- 电压保护: 用于防止逆向电流对敏感元器件造成损害。
- 高频电源: 适合开关电源、脉冲电源和其他高频操作的场合，保证快速的响应时间和低延迟。
结论
ES1D-E3/61T 是一款性能卓越的标准二极管，凭借其高耐压、高整流能力以及优良的温度特性，能够满足各类电路的需求。VISHAY（威世）作为业界知名的电子元件供应商，确保了该产品的可靠性和稳定性，是专业设计人员和工程师不可或缺的组成部分。无论是在工业领域还是消费电子领域，ES1D-E3/61T 的广泛适用性使其成为众多电子产品设计中的优选元器件。