DMP6023LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.388g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 6.6A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
4034(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.14按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.14
--
100+
￥1.65
--
1250+
￥1.44
--
2500+
￥1.34
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6023LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.6A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 53.1nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2569pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP6023LSS-13手册
DMP6023LSS-13概述
DMP6023LSS-13 产品概述
1. 基本信息
DMP6023LSS-13 是一款由 DIODES（美台）生产的高性能 P沟道场效应管（MOSFET），采用SO-8封装。这款器件专为需要高效率和低导通电阻的电源管理应用而设计。它的漏源电压（Vdss）为60V，最大连续漏极电流可达6.6A，适用于各种电子电路中的开关调节和功率控制。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 6.6A（在25°C环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 25mΩ @ 5A, 10V
- 最大功率耗散: 1.2W（在环境温度25°C下）
- 驱动电压: 4.5V 至 10V
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
- 封装类型: SO-8
这些参数使得 DMP6023LSS-13 成为多种应用场景的理想选择，尤其是在需要高电流和高电压的环境中。
3. 性能特点
DMP6023LSS-13的重要特性之一是其较低的漏源导通电阻（Rds(on)）。在5A电流和10V的栅源电压下，导通电阻仅为25mΩ，这意味着该器件能够有效降低导通损耗，从而提高整体效率。在实际应用中，这对于延长电池寿命及减少热损耗至关重要。
此外，该MOSFET还具有宽广的工作温度范围，适应不同的工作环境，确保其在极端条件下的可靠性能。这种高热稳定性使其适用于汽车电子、消费类电子以及工业控制等领域。
4. 应用领域
DMP6023LSS-13 适用于多种电源开关和调节应用，如：
- 电机驱动: 由于其承载能力和低导通电阻特性，广泛应用于电机控制电路中。
- 电源供应: 该器件能够在电源转化及转换电路中有效地处理高电流，提升整体系统效率。
- 自动化设备: 适合用于各种自动化控制系统中，提供高效的电源管理解决方案。
- 消费电子: 广泛应用于智能手机、平板电脑等消费电子产品中，确保产品在高负载下运行平稳。
5. 封装与安装
DMP6023LSS-13采用紧凑的SO-8封装，这种表面贴装型设计节省了电路板空间，便于自动化装配。8-SOIC封装的设计使其在多层电路板中保持良好的电气性能，并方便后续的散热管理。
6. 结论
DMP6023LSS-13 是一款高性能的P沟道MOSFET，结合了理想的电气特性和广泛的应用范围。其低导通电阻、尺寸紧凑和高温稳定性使其成为现代电子应用中的重要选择。无论是在电机驱动、电源供应还是消费电子领域，DMP6023LSS-13都能提供稳定高效的解决方案，为设计人员提供更多的灵活性和可靠性。