漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4.65A |
栅源极阈值电压 | 1.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 3A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 810mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.65A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 3A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33.7nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1643pF @ 20V | 功率耗散(最大值) | 810mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP4025SFG-13 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 P沟道 MOSFET(场效应管),具有出色的电流承载能力和导通特性。这款器件专为多种电子应用设计,能够在相对高电压和电流条件下运行,适合诸如电源管理、负载开关、马达驱动以及其他需要高效控制和切换的电路。
DMP4025SFG-13 适合广泛的应用场景,包括但不限于以下几种:
DMP4025SFG-13采用 PowerDI3333-8 表面贴装封装,具有小尺寸、轻量化的特点,同时也提供良好的热管理能力,便于电路设计和集成。该封装形式可以满足现代电子设备对于空间和散热性能的双重要求。
DMP4025SFG-13 是一款具有高效率、低功耗、出色热管理特性的 P沟道 MOSFET,适用于多种电子应用。其广泛的工作温度范围和高可靠性使其能够在不同的应用环境中表现出色。作为 DIODES 公司的一员,该器件不仅传承了优质的制造工艺,也为设计师提供了灵活的选择,满足现代电路设计的各种复杂需求。无论在电源管理、负载开关还是其它高功率应用中,DMP4025SFG-13 都能有效提升电路性能,为客户带来更高的价值。