DMP3008SFG-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
0.057g
描述 :
场效应管(MOSFET) 900mW 30V 8.6A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.4按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.4
--
100+
￥1.08
--
1000+
￥0.899
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3008SFG-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.6A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 17mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 900mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2230pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3008SFG-7手册
DMP3008SFG-7概述
产品概述：DMP3008SFG-7
DMP3008SFG-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，主要用于需要高效率和稳定性的电源管理和开关应用。这款器件由 DIODES（美台）公司生产，是其 PowerDI3333-8 封装系列的一部分，适用于各种消费电子、工业和汽车应用。以下是 DMP3008SFG-7 的详细规格及其应用场景的分析。
1. 基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id） (25°C 时): 8.6A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.1V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 17mΩ @ 10A, 10V
- 功率耗散（Ta=25°C）: 900mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: PowerDI3333-8 (表面贴装型)
2. 主要特点
DMP3008SFG-7 的设计优势在于其出色的电气性能和优异的散热特性，使其在高功率应用中表现出色。关键特性包括：
- 低导通电阻: 以 17mΩ 的导通电阻值，DMP3008SFG-7 在高电流条件下提供较少的功率损耗。这对于延长电池寿命和提高能效至关重要。
- 较宽的工作温度范围: 该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适用于极端环境的应用，例如汽车电子和工业设备。
- 适合高速开关: DMP3008SFG-7 的栅极电荷（Qg）仅为 47nC，确保快速的开关响应，适合高频操作。
3. 应用场景
DMP3008SFG-7 门德尔管通常用于以下领域：
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器、LED 驱动和电源开关中，由于其高效率和低开关损耗，它能有效提高系统的整体效率。
- 载波开关: 该器件在各种载波开关电路中应用广泛，比如音频放大器的电源开关，以启用或禁用电源，从而优化能耗。
- 电池管理系统: 在便携式设备中，使用 DMP3008SFG-7 的低 Rds On 可提升电池使用效率，延长设备的工作时间。
4. 设计考虑
在设计中考虑使用 DMP3008SFG-7 时，设计师需注意以下几点：
- 驱动电压: 确保栅极驱动电压在 4.5V - 10V 之间，以获得最佳的导通性能。
- 散热设计: 尽管最大功率耗散为 900mW，但在高负载情况下，需要适当的散热处理以保持器件在安全工作范围内。
- PCB Layout: 确保电源和地线的布局合理，以减少寄生电感和电阻，从而提高开关性能。
结论
DMP3008SFG-7 是一款高效率、适用范围广泛的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和可靠性，适用于多种电源管理和信号开关的应用场景。设计师在进行选择时，应充分考虑其规格及性能，以确保在各种应用中都能获得最佳效果。通过采用 DMP3008SFG-7，用户能够有效提升电子设备的整体性能和能效，满足现代电子产品对高性能与高可靠性的需求。