DMP21D0UT-7
DMP21D0UT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 590mA |
| 栅源极阈值电压 | 700mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 495mΩ @ 400mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 240mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 590mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.54nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 240mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 | 封装/外壳 | SOT-523 |
DMP21D0UT-7手册
DMP21D0UT-7概述
DMP21D0UT-7 产品概述
DMP21D0UT-7 是一款高性能的 P沟道 MOSFET，由知名的电子元器件制造商 DIODES（美台）生产。这款 MOSFET 的设计旨在满足现代电子设备中对空间、功率和效率的严格要求，适用于多种应用场景，例如开关电源、功率管理、负载开关、负载调节以及其他需要高效电源控制的电子设计。
基础参数
漏源电压（Vdss）: DMP21D0UT-7 的漏源电压最大为 20V，适合低压应用。这使得它在控制小型驱动电机以及其他低电压设备时表现出色，可有效避免因过压导致的组件损坏。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，其连续漏极电流最大为 590mA，这意味着该 MOSFET 可以在相应的工作条件下，稳定地传导电流而不会过热或造成故障。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 此电压为 700mV @ 250µA，说明其控制电路的驱动门限较低，使得它能够在较低的栅电压下开启，非常适合低功耗设计。
导通电阻（Rds On）: 在 4.5V 和 400mA 下，导通电阻为 495mΩ，表现出较低的导通损耗，从而提高了整体电路的能效，减少了功率损耗，延长了电池存续能力。
功率耗散（Pd）: DMP21D0UT-7 在环境温度为 25°C 时，最大功率耗散为 240mW，使其能够在一定的功耗范围内运行而不出现过热。
工作温度范围: 该元器件的工作温度范围在 -55°C 到 150°C，致使它在各种极端环境中仍可保持可靠性，非常适合工业和汽车等应用。
封装与安装类型
DMP21D0UT-7 采用 SOT-523 封装，属于表面贴装型（SMD）元件。这种小型化的封装设计不仅节省了电路板空间，还使得其在自动化生产线上的组装更加高效。SOT-523 封装能提供良好的散热特性，帮助 MOSFET 在高功率密度应用中保持稳健的性能。
应用场景
DMP21D0UT-7 可广泛应用于：
- 便携式电子设备: 由于其低功耗和高效能，非常适合智能手机、平板电脑及其他便携设备中作为电源管理控制器。
- 工业控制: 可用于开关电源及工业自动化设备的驱动开关，控制电机、继电器等负载。
- 汽车电子: 在汽车电子产品中，用于电源分配和逻辑控制，能够耐受恶劣的环境条件和高温。
- LED 驱动: 在 LED 照明产品中负责驱动电源的切换和调节。
总结
DMP21D0UT-7 是一款性价比高的 P沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，为现代电子应用提供了可靠的解决方案。无论是在便携式设备、工业控制还是汽车电子中，DMP21D0UT-7 都表现出色，能够满足各种场景下的设计需求是电子设计师的一项理想选择。