DMP21D0UFB4-7B
DMP21D0UFB4-7B参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 770mA |
| 栅源极阈值电压 | 700mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 495mΩ @ 400mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 430mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 770mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.54nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 430mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP21D0UFB4-7B手册
DMP21D0UFB4-7B概述
产品概述：DMP21D0UFB4-7B
DMP21D0UFB4-7B是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各类电子电路中，为实现高效能和低功耗的电源管理与信号调节提供解决方案。该器件采用了表面贴装型（SMD）封装技术，适合现代电子设备的小型化和高集成度需求。其主要特性包括：漏源电压（Vdss）为20V，持续漏极电流（Id）为770mA，漏源导通电阻（Rds(on)）在最大400mA时为495mΩ，具有优越的负载能力和低能耗特性。
1. 电气特性
DMP21D0UFB4-7B的电气特性使其在各种应用中表现出色。该器件的漏源电压为20V，这意味着它能够承受高达20V的电压，同时保持其工作稳定性。其连续漏极电流为770mA，意味着它在该温度下能够稳定工作，满足多种功率需求。
在性能方面，该MOSFET的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为700mV @ 250µA，这使得其能够在较低的驱动电压下迅速进入导通状态，适合需要快速开关的应用场景。同时，DMP21D0UFB4-7B的漏源导通电阻为495mΩ @ 400mA，4.5V，这对于要求较少功率损耗的应用场景而言是一个理想的选择。
2. 功率与热特性
在功率方面，DMP21D0UFB4-7B具有430mW的最大功率耗散，这是在25°C时的性能特征。该特性使得该器件能够有效管理热量，适合高功率应用。在极端工作条件下，DMP21D0UFB4-7B的工作温度范围可达-55°C至150°C，确保其在各种恶劣环境下稳定工作，增强了其在工业和汽车电子设备中的使用潜力。
3. 封装与体积
DMP21D0UFB4-7B采用X2-DFN1006-3封装，具有3-XFDFN结构。这种小型化的封装设计不仅有效地减少了PCB的占用空间，也提高了散热效率。表面贴装技术（SMT）使得该器件可以通过自动化生产线快速安装，大大提升了生产效率。
4. 应用场景
基于其优越的电气特性和高功率管理能力，DMP21D0UFB4-7B广泛应用于电源转换器、开关电源、LED驱动器，以及各类便携式设备和高效能电池管理系统中。除了电源管理外，该MOSFET还可用于过压保护、负载开关和其他需要快速开关功能的应用中，也适用于汽车电子和工业控制等领域。
5. 总结
总体而言，DMP21D0UFB4-7B是一款极具竞争力的P沟道MOSFET，适合要求低功耗、高效率及小型封装的电子设计。其在低导通电阻、较高的漏源电压承受能力和宽广的工作温度范围方面的优秀表现，使得该器件在现代电子应用中成为一种理想选择。DIODES（美台）作为这一产品的品牌，凭借其在半导体领域的强大研发与生产能力，确保了DMP21D0UFB4-7B的高质量和可靠性，为客户提供了坚实的技术保障。