DMP2023UFDF-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
0.016g
描述 :
场效应管(MOSFET) 730mW 20V 7.6A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
1.47按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.47
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100+
￥1.13
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750+
￥0.941
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1500+
￥0.855
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3000+
￥0.785
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2023UFDF-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1837pF @ 15V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 730mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
DMP2023UFDF-7手册
DMP2023UFDF-7概述
产品概述：DMP2023UFDF-7 MOSFET
一、产品简介
DMP2023UFDF-7 是一款由世界知名的半导体制造商 DIODES（美台）出品的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其键合特性和出色的电气性能使其在多种应用场景中发挥着关键作用。这款器件适用于表面贴装技术（SMT），采用 U-DFN2020-6 封装，适合高密度的电路板设计。
二、基础参数
DMP2023UFDF-7 的一些关键参数如下：
- 导通电阻 (Rds(on))：最大值为 27 毫欧（在 7A 和 4.5V 条件下）。
- 漏极电流 (Id)：最大连续工作电流为 7.6A，适应广泛的应用需求。
- 漏源电压 (Vds)：最高可承受 20V 的漏源电压，为设备提供了良好的保护。
- 驱动电压 (Vgs)：适应的最大驱动电压为±8V，确保MOSFET在大多数控制电压下都能良好工作。
- 工作温度范围：在宽广的环境温度范围内工作，从 -55°C 到 150°C，让其在严酷环境中也能稳定运行。
三、电气性能
DMP2023UFDF-7 的选用使得设计师可以在考虑到性能的同时，降低总系统的功耗。其导通电阻 Rds(on) 在 4.5V 的驱动下最小值低至 27 毫欧，这在高电流应用中提供了极低的功耗损耗，降低了热量产生，并提高了整体效率。输入电容 Ciss 达到 1837pF，意味着 MOSFET 具有良好的开关响应，有助于提高开关频率，从而在开关电源和高频应用中表现优秀。
四、应用领域
DMP2023UFDF-7 适用于多个电子应用场合，包括但不限于：
- 电源管理：可以用于负载开关和电源调节电路。
- DC-DC 转换器：在高效率的 DC-DC 转换器中，作为开关元件使用。
- 电池保护电路：用于电池的充放电管理中，防止过流或短路。
- 驱动电路：控制马达驱动器和其他高功率设备。
- 消费电子产品：在手机、平板电脑和其他小型设备中，优化电源效率。
五、封装与可靠性
DMP2023UFDF-7 的 U-DFN2020-6 封装提供了极小的尺寸和重量，使得这种组件非常适合现代超小型电子产品。该封装提供良好的热管理特性，帮助缩短散热时间。其高可靠性可满足高标准应用需求。
六、总结
DMP2023UFDF-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻和广泛的工作温度适应性，非常适合需要高效率和高效能的各种应用。DIODES 的这一产品不仅提升了设备的整体性能，降低了能耗，还有助于设计师打造出更为小巧和高效的电子设备。在未来的设计和应用参考中，DMP2023UFDF-7 无疑是电路设计师值得考虑的重要选择。