DMP10H400SEQ-13

产品概述：DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能表现和适应性，成为各种电子应用中的理想选择。该 MOSFET 的封装类型为 TO-261-4 和 SOT-223，使其具备良好的散热性能和紧凑的外形，便于在空间受限的环境中使用。

关键参数

• 漏源极电压（Vdss）: 该器件最高能够承受 100V 的漏源电压，这使其可以安全应用于高电压系统。
• 连续漏极电流（Id）: 在室温 25°C 条件下，DMP10H400SEQ-13 的最大连续漏极电流可达到 2.3A，而在较低的温度下（Tc），最大可提升到 6A。这一特性使其在不同的工作环境中表现出色。
• 栅源电压（Vgss）: 该器件支持最高 ±20V 的栅源电压，从而确保其在多种驱动电压条件下的稳定运行。
• 导通电阻（Rds(on)）: 最大导通电阻为 250 毫欧，通常在 10V、5A 的条件下测得。这意味着在开启时，该元件能有效降低功率损耗，提高效率。
• 阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 的条件下，最大阈值电压为 3V，提示该 MOSFET 易于驱动。
• 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 17.5nC，确保可实现快速开关，有利于高频应用和降低开关损耗。
• 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 1239pF，适配 25V 的条件，与高频信号兼容。

散热能力

该 MOSFET 的功率耗散能力也相当出色，在环境温度为 Ta 条件下最大为 2W，而在 Tc 条件下可达到 13.7W。这一特性使得 DMP10H400SEQ-13 能够在负载变化较大的应用场景中保持稳定，避免因过热而导致的器件失效。

工作环境

DMP10H400SEQ-13 的工作温度范围宽广，从 -55°C 至 150°C，适应了恶劣的工作环境要求。无论是在极寒或极热的条件下，该器件均能表现出色，满足工业应用、汽车电子以及消费电子等多个市场的需求。

应用领域

基于其优异的性能参数，DMP10H400SEQ-13 可广泛应用于多种电子电路中，例如：

• 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器的开关管，以及其他电源相关电路中。
• 马达驱动: 由于其能够承受较高的电流和电压，非常适合用于电机驱动器。
• 照明控制: 特别是在 LED 照明控制中，MOSFET 的快速开关能力是实现高效能控制的关键。
• 保护电路: 用于反向保护，以及过流和过压保护电路，提升系统的安全性和可靠性。

结论

总而言之，DMP10H400SEQ-13 是一款优秀的 P 沟道 MOSFET，凭借其高承受电压、快速开关特性和良好散热能力，为广大工程师和设计师提供了一个可靠的解决方案。无论是在电源管理、马达驱动还是照明控制等方面，其出色的性能都让其成为众多高性能电子产品设计中的理想选择。