DMN67D8LW-7
DMN67D8LW-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .82nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN67D8LW-7手册
DMN67D8LW-7概述
产品概述：DMN67D8LW-7
DMN67D8LW-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）提供。该器件特别设计用于高效的开关应用，适合各种电子设备中的功率管理与控制，具有优良的热性能和电气特性。
关键参数
漏源电压（Vdss）：DMN67D8LW-7 的最大漏源电压为 60V，使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种应用场景。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，该器件可提供240mA的连续漏极电流，这使得它能够处理常见的中等功率负载的需求。
导通电阻（Rds On）：在10V的栅源电压下，该器件的导通电阻最大为5Ω（在500mA时），有助于降低功率损耗，提高效率。这意味着在实际应用中，DMN67D8LW-7 可最大限度地减少热耗散，提高系统的整体工作效率。
阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的测试条件下，阈值电压为2.5V，表明该器件能够在相对较低的驱动电压下开启，使其在不同工作条件下都能保持较好的性能。
输入电容（Ciss）：该器件在25V下的输入电容值为22pF，这意味着它在开关频率较高的应用中，能够实现快速的开关特性。
驱动电压和栅极电荷
DMN67D8LW-7的最大驱动电压为±30V，提供了较大的输入电压范围，能够满足不同应用需求。此外，该器件在10V下的栅极电荷为0.82nC，有助于提高开关速度和降低驱动电流需求，适合高频率的开关应用。
功率耗散与工作温度
该MOSFET的最大功率耗散为320mW（在Ta条件下），使其能够在功率密度较高的环境中稳定工作。它的工作温度范围为-55°C ~ 150°C (TJ)，确保在极端环境下也能保持优良的性能。
封装与安装类型
DMN67D8LW-7 采用 SOT-323 封装，体积小巧，适合各种表面贴装应用。该器件的 compact 封装设计使得在空间受限的电路板上能够更加灵活地使用，同时减少了电路的总体占用面积。
应用场景
DMN67D8LW-7 是一款极为灵活的器件，广泛应用于各种电子产品中，包括：
- 开关电源 (SMPS)
- 电池管理系统
- LED 驱动器
- 电机驱动
- 家用电器
- 汽车电子设备
- 通信设备
结论
综上所述，DMN67D8LW-7 是一款在多个关键性能参数上表现卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优良的电气特性和较宽的工作温度范围，它成为了众多电子产品设计中不可或缺的基础元件。无论是在高效能的开关应用中，还是在对热管理和体积有严格要求的环境下，DMN67D8LW-7 都能为设计工程师提供可靠的解决方案。