DMN65D8LQ-7
DMN65D8LQ-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 115mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 310mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .87nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
DMN65D8LQ-7手册
DMN65D8LQ-7概述
DMN65D8LQ-7 产品概述
概述
DMN65D8LQ-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌 DIODES（美台）制造。该器件采用 SOT-23 表面贴装封装，具有优异的电气性能和宽广的工作温度范围，适宜于各种电子应用场景，尤其在中小功率的开关和放大电路中表现卓越。
主要特性
导通电阻（Rds On）：在 Vgs 为 10V 时，导通电阻最大值仅为 3 欧姆（@115mA），这意味着该 MOSFET 在开关状态下能有效减少能量损耗，提高能效，适合用于高频开关应用。
工作电压与电流能力：该器件的最大漏源电压（Vdss）可达 60V，且在环境温度 25°C 时的连续漏极电流（Id）为 310mA。此种高电压和电流能力保证了该 MOSFET 能够在多种苛刻工作条件下运行，适用于如电源管理、开关电源和电机驱动等电路。
栅极驱动电压：此 MOSFET 的栅极驱动电压在 5V 至 10V 范围内，能够很容易地与大多数数字电路或微控制器兼容，方便设计集成。
优良的频率响应：在不同 Vds 条件下，输入电容（Ciss）的最大值为 22pF (@ 25V)，这对高频操作至关重要。较小的输入电容能够有效降低开关延迟，使其在高频率应用下保持高效响应。
栅极电荷（Qg）：在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷最大值为 0.87nC，这一特性使得该 MOSFET 在驱动时具有快速的开关特性，减少电路中的开关损耗，为设计人员提供更多的设计灵活性。
温度性能：DMN65D8LQ-7 的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 至 150°C（TJ），这使得其能够在极端环境下稳定工作，适合用于汽车、工业控制及各种高温应用场合。
功率耗散：在环境温度条件下，该器件的最大功率耗散可达到 370mW，为设计师在 thermal management 方面提供了灵活性，也能在较高功率的应用中保持较低的温升。
应用领域
DMN65D8LQ-7 的特性使其广泛应用于以下领域：
- 电源管理：可用作开关模式电源中的开关元件，提升电源转换效率。
- 电机驱动：适合于电机控制和驱动应用，在高效和快速响应方面有良好的表现。
- 便携式设备：由于其低导通电阻和低栅极驱动电压，该 MOSFET 适合在移动设备、便携式电源中使用。
- 汽车电子：由于其宽广的工作温度范围，尤其适合用于汽车的控制模块、传感器和其他信号处理应用。
结论
DMN65D8LQ-7 是一款极具竞争力的 N 沟道 MOSFET，集合了优良的电气性能、广泛的应用场景及卓越的工作温度特性。作为一款多功能、高效能的器件，它能够满足现代电子设计中对性能、尺寸和效率的严格要求。对于希望在其产品中引入先进电力管理解决方案、提高能源利用效率的设计师和工程师来说，DMN65D8LQ-7 是一个极为适合的选择。