DMN63D8L-7
DMN63D8L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 350mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.8Ω @ 250mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.2pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN63D8L-7手册
DMN63D8L-7概述
DMN63D8L-7 产品概述
产品简介
DMN63D8L-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，由世界知名的半导体制造商 DIODES（美台半导体）出品。该器件设计用于中低功率应用，其独特的特性使其在各种电子电路中表现优异。由于其优秀的导通特性和广泛的工作温度范围，DMN63D8L-7 在电源管理和信号处理方面具有明显的优势。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 350mA（在环境温度 25°C 时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.5V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 2.8Ω @ 250mA, 10V
- 最大功率耗散: 350mW（在 25°C 环境温度）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（起始温度）
特性与优势
DMN63D8L-7 提供了一系列有利于其应用的性能优势：
高效率导通特性: 具有低导通电阻（2.8Ω），能有效减少能量损耗，提高整体电路的效率。这使得 DMN63D8L-7 非常适合需要高效能传导的电路。
宽的工作电压范围: 在电压高达 30V 的条件下仍能稳定工作, 适用于多种应用场景，包括较高电压和动态负载条件。
极低的栅极电荷: 最小输入电容为 23.2pF，使得其在高频应用中具备良好的响应速度，适合用于快速开关应用。此外，栅极阈值电压为 1.5V，可实现低电压驱动。
广泛的温度适应性: 工作温度范围从 -55°C 至 150°C，使其能够在各种严酷的环境条件下稳定运行，适合工作在工业和汽车等应用中。
紧凑的封装设计: SOT-23 封装为其提供了灵活的安装选项，可以轻松集成到紧凑的电路板设计中，节省空间。
应用场景
DMN63D8L-7 广泛应用于多种电子产品和系统中，包括：
电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源和线性稳压器中作为开关元件，有效提高转换效率。
信号开关: 作为低功耗开关，能够在控制信号的情况下进行信号调节和路由。
电机驱动: 通过在电机驱动电路中作为开关控制，提供可靠的电流控制和驱动性能。
便携式设备: 由于其小巧的封装和低功耗特性，特别适用于智能手机、平板电脑、数码相机等便携式电子设备。
汽车电子: 在汽车电气系统中，能有效进行电源管理和信号开关，确保电子组件的安全和稳定性。
总结
DMN63D8L-7 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET，适用于各类需要高效功率管理的电子应用。凭借其优异的导通特性、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，DMN63D8L-7 不仅能够满足现代电子设备的需求，同时也为设计工程师提供了值得信赖的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，DMN63D8L-7 都是一个不可或缺的重要元器件。