DMN6068SE-13
DMN6068SE-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.1A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 68mΩ @ 12A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 68 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.3nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 502pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
DMN6068SE-13手册
DMN6068SE-13概述
DMN6068SE-13 产品概述
DMN6068SE-13是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有多种优良的电气特性和适用性，广泛应用于电力转换、开关电源、负载控制和其他要求高效能和可靠性的电子电路中。这款元器件由DIODES（美台）公司制造，封装采用SOT-223形式，便于表面贴装，适合现代电子设备的紧凑设计。
主要参数
漏源电压（Vdss）: DMN6068SE-13的最大漏源电压为60V，能够满足大多数中低压电力控制需求。
连续漏极电流（Id）: 在25°C条件下，该元器件的最大连续漏极电流为4.1A，确保在较大的电流负载下也能稳定工作。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为3V @ 250µA，表示该元器件在较低的栅压下就可迅速导通，提高了开关速度和能效。
漏源导通电阻（Rds(On)）: 在10V栅压和12A电流下，导通电阻为68mΩ，能显著减少功率损耗并提升效率，尤其适合需要高性能开关操作的应用场景。
驱动电压: 此MOSFET可在4.5V至10V的栅电压下工作，提供灵活的驱动选择，适应多样化的电路设计需要。
输入电容（Ciss）: 在30V下，输入电容为502pF，帮助提高开关速度，适合于高频操作。
功率耗散: 最大功耗为2W，这使得该元器件在高温环境下仍能有效工作，具有良好的热管理能力。
工作温度范围: DMN6068SE-13支持宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C的承受能力，使其在极端环境中仍能可靠运行。
应用领域
DMN6068SE-13广泛应用于汽车、消费电子、工业设备及其他需要高效率电源管理的领域。例如：
- 开关电源: MOSFET可作为开关器件，应用于电源转换过程中，实现能量的调节与转换。
- DC-DC转换器: 在电源转换过程中，DMN6068SE-13可以作为高频开关，提升系统的转换效率。
- 电机驱动: 该MOSFET能够很好地支持各种电机驱动方案，提供高效的开闭控制。
- 负载开关: 在各种负载控制电路中，这款MOSFET提供了精确稳健的开关能力。
设计与选型优势
DMN6068SE-13的SOT-223封装不仅使其占用空间小，而且具有良好的热性能与电气连接稳定性，这是现代贴片设计中一个重要的考虑因素。其低导通电阻和广泛的电压电流容量使其成为高效电力处理系统中的理想选择。
此外，该器件的高温和宽电压范围特性意味着无论是在高温还是低温应用中，DMN6068SE-13都能保持高效的工作状态，显示出其高可靠性。同时，组件的灵活输入电容和栅极电荷特性使得在设计调试过程中的适配及调优变得更加简便。
结论
总体而言，DMN6068SE-13凭借其优异的电气特性、广泛的应用范围和高可靠性，成为了许多电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是新产品设计还是现有系统的性能提升，它都能够提供有效的解决方案，是工程师们在选择MOSFET时的重要考量之一。