DMN2400UFB-7
DMN2400UFB-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 750mA |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 470mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 750mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN2400UFB-7手册
DMN2400UFB-7概述
DMN2400UFB-7 产品概述
一、基本信息
DMN2400UFB-7是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，具有出色的电气特性与广泛的应用场景。其基本参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 750mA（在25°C环境温度下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 900mV @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 550mΩ @ 600mA，4.5V
- 最大功率耗散: 470mW（在25°C环境温度下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: X1-DFN1006-3，表面贴装型
二、电气特性
DMN2400UFB-7在多个电流与电压条件下展现了优良的电流承载能力和热稳定性。它在特定功率下的导通电阻相对较低，为电路设计者提供了高效率的选择。
导通电阻: 在600mA和4.5V的条件下，550mΩ的导通电阻确保了该元器件在高负载时仍能保持低发热特性，降低了功耗。同时，这种低导通电阻对于提升功率转换效率至关重要，尤其在开关电源和电机控制中的应用。
栅极电荷: Qg的最大值为0.5nC @ 4.5V，表明该MOSFET对驱动信号的响应迅速，有助于提高开关频率和降低开关损耗，适合于高频开关应用。
三、应用领域
基于其优异的电气特性，DMN2400UFB-7适用于多种电路设计及应用领域，包括但不限于：
开关电源: 由于其低导通电阻和快速的开关特性，DMN2400UFB-7非常适合用于开关电源中的功率转换和控制电路。
电池管理系统: 在电池充放电过程中，MOSFET可以有效控制电流流动，提升能效，对于电池寿命和安全性有积极的影响。
功率放大器: 在RF应用中，该MOSFET可以用作功率放大器的一部分，提供稳健的性能和可靠的信号放大。
电动汽车控制系统: 残存电流管理和高效电动机驱动是电动汽车设计的核心，DMN2400UFB-7在这样的应用场景中同样表现优异。
LED驱动电路: 该MOSFET的快速切换能力和低热量发散使其成为高效LED驱动电路的理想选择。
四、设计考量
在设计电路时使用DMN2400UFB-7，应注意以下几点：
驱动电压选择: 为确保MOSFET完全导通，驱动电压应设置在1.8V至4.5V范围内，设计者应选择匹配负载要求的驱动电压。
散热管理: 尽管该器件在最大功率时的功耗为470mW，但在高环境温度或高电流负载下，散热设计非常重要，应考虑散热片或良好的基板散热设计。
保护电路: 虽然DMN2400UFB-7具有较高的工作温度范围，但在应用中，应设计合适的保护电路，如过温和过流保护，以确保器件的长期可靠性。
五、总结
DMN2400UFB-7以其卓越的电气性能与适应性，在现代电子设计中，尤其是在开关电源、线性电源和电池管理系统领域中，扮演着重要角色。其紧凑的封装形式和高效能表现，符合现代电子设备小型化和高效能的设计趋势。选择DMN2400UFB-7，将为您的电子项目提供可靠的性能与优异的效率。