DMN2004WK-7
DMN2004WK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 540mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 540mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN2004WK-7手册
DMN2004WK-7概述
产品概述：DMN2004WK-7 N沟道MOSFET
DMN2004WK-7是一款高效能的N沟道MOSFET，专为各种电子应用设计，具有优良的电气性能和散热能力。这款器件的主要特点包括其漏源电压（Vdss）为20V、连续漏极电流（Id）为540mA，以及低导通电阻（Rds(on)），适合用于开关调节、直流-直流转换器和功率放大等应用。
1. 主要参数
DMN2004WK-7具有以下关键参数：
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 540mA（在25°C环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 550mΩ @ 540mA，4.5V
- 最大功率耗散: 200mW @ 25°C
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-323，适合表面贴装应用
这些参数使得DMN2004WK-7非常适合高频率和高效率的开关电源以及小型化的电子设备。
2. 电气特性
DMN2004WK-7的设计考虑到了在各种工作条件下的性能稳定性。低导通电阻（Rds(on)）使其在大电流下产生的功耗极小，提高了整体系统的效率。该器件的栅源极阈值电压为1V，支持低电压驱动，使得其在配合低电压逻辑电平的应用中表现出色。其最大栅源电压（Vgs max）为±8V，使得器件能够兼容多种栅极驱动电路。
3. 应用场景
DMN2004WK-7的设计非常适用于以下应用：
- 开关电源: 由于其较高的电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET可在开关电源中充当高效的开关器件。
- 电机驱动: 在电机驱动电路中，MOSFET可被用来控制电流的流向和大小，提升电机的运行效率。
- LED驱动: 适用于驱动高功率LED灯具，利用其高效率降低发热量，保证LED的长寿命。
- 小型化电子设备: 由于其小巧的SOT-323封装，非常适合空间受限的电子设备。
4. 热性能与散热管理
DMN2004WK-7的最大功率耗散为200mW，能够承受相对较高的功率输出，同时依然保持稳定。由于其宽广的工作温度范围（-55°C到150°C），该MOSFET适合在极端温度下运行，特别是在高温环境中仍能保持良好的电气特性。在高电流操作时，为了避免过热，合理的散热设计和电路布局是必须的。
5. 供应及兼容性
由DIODES（美台）制造的DMN2004WK-7，采用SOT-323（SC-70）封装，使其与市场上众多同类产品兼容，并易于集成在现有电路设计中。其可靠的质量保障和广泛的应用背景使其成为设计工程师和制造商的理想选择。
结论
总之，DMN2004WK-7 N沟道MOSFET具备前沿的电气参数、优异的驱动特性及宽广的应用范围，适合现代电子设计中的多种需求。凭借其出色的性能和高可靠性，这款器件已成为许多电子行业的热门选择。无论是在工业、消费电子，还是在电源管理领域，DMN2004WK-7都能够提供高效、稳定的解决方案。