DMN2004TK-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT523
包装 :
编带
重量 :
0.012g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150mW 20V 540mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
146(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.632按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.632
--
200+
￥0.435
--
1500+
￥0.396
--
3000+
￥0.37
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2004TK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 540mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 540mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
DMN2004TK-7手册
DMN2004TK-7概述
DMN2004TK-7是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要用于开关和放大电路，以及其他各种电源管理应用。该器件由DIODES公司生产，采用SOT-523小型表面贴装封装，非常适合于空间有限的电子设计中。
产品规格概述
1. 基本电气特性
- 漏源电压（Vdss）：DMN2004TK-7的最大漏源电压为20V，适合用于低压电源应用。
- 连续漏极电流（Id）：器件在25°C条件下的最大连续漏极电流为540mA，能够满足许多中小功率电路的需求。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的最低栅极驱动电压为1V（@ 250µA），这使其在低栅压下也能有效导通，提升了应用灵活性。
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V和540mA下的导通电阻为550mΩ，低导通电阻有助于降低功耗，提高功率效率。
2. 功率和温度特性
- 功率耗散：DMN2004TK-7的最大功率耗散能力为150mW，在最恶劣的工作环境下依然能够保持良好的工作性能。
- 工作温度范围：可以在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适用于严苛环境的应用，如汽车电子和工业控制系统。
3. 封装和安装类型
- 封装类型：该器件采用SOT-523封装，具有较小的体积，适合高密度布板的设备，减少了PCB面积的需求，同时也方便了自动化贴装。
- 安装方式：作为一款表面贴装元件（SMD），它的安装方式适合现代电子产品的生产工艺，实现更高的组装效率。
应用领域
DMN2004TK-7广泛应用于多种电子设备中，尤其是在以下几个领域：
- 电源管理：适合用于DC-DC转换器等电源供应和电源管理电路。
- 开关电路：可用于各种开关应用，如电机驱动、电源开关等。
- 自动化控制：在各种自动化设备中，作为信号开关和控制组件，提供可靠的性能。
- 消费电子：广泛应用于手机、平板电脑及其他便携式设备中，作为高效率、高集成度的开关元件。
结论
总的来说，DMN2004TK-7是一款性能优良、应用广泛的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、宽温工作范围及小型封装设计，使其在现代电子产品中非常受欢迎。无论是在电源管理、开关控制，还是其他各种要求高效能和高集成度的应用场景，DMN2004TK-7都能够提供可靠的解决方案。这样的特性组合使其成为当今电子设计的重要选择之一。