DMG6602SVT-7
DMG6602SVT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.4A,2.8A |
| 栅源极阈值电压 | 2.3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 60mΩ @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.27W | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A，2.8A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 840mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商器件封装 | TSOT-23-6 |
DMG6602SVT-7手册
DMG6602SVT-7概述
DMG6602SVT-7 产品概述
DMG6602SVT-7 是一款高性能的双通道场效应管（MOSFET），集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET，封装形式为 TSOT-23-6，专为高效电源管理和开关应用而设计。其主要特点包括能够承受额定的漏源电压（V_DSS）高达 30V 和连续漏极电流（I_D）在 25°C 时为 3.4A/N 沟道及 2.8A/P 沟道。
性能特征
漏源电压: DMG6602SVT-7 在漏源电压（V_DSS）最大可达 30V，适用于各种低至中等电压的应用场景，如直流-直流转换器、LED 驱动器等。
连续漏极电流: 25°C 下，N 沟道的连续漏极电流为 3.4A，而 P 沟道为 2.8A。这使得该产品适应不同的负载条件，提供良好的导通性能。
阈值电压和导通电阻: N 沟道 MOSFET 的栅源极阈值电压（V_GS(th)）为 2.3V @ 250µA，能够以较低的栅极驱动电压（4.5V）切换状态。其在 3.1A 和 10V 驱动下的漏源导通电阻（R_DS(on)）为 60mΩ，表现出卓越的电气效率，降低功耗和热特性。
输入电容及栅极电荷: 此 MOSFET 设计中输入电容（C_iss）最大值为 400pF @ 15V，栅极电荷（Q_g）最大值为 13nC @ 10V。这使得该器件可以在高频开关条件下稳定工作，适合应用于高频和快速转换电路。
功率耗散: 最大功率耗散为 840mW，确保器件在高负载情况下的可靠性和稳定性，有助于延长系统的整体寿命。
工作温度范围: DMG6602SVT-7 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够适应极端环境和高温条件下的应用。这一点对汽车电子、工业控制和高可靠性设备尤为重要。
应用场合
DMG6602SVT-7 由于其低导通电阻和高效能，广泛应用于各种电子设备中，例如：
- 电源管理电路：用于开关电源、降压及升压转换器。
- LED 驱动器：能有效控制 LED 的工作电流，确保良好的亮度和长效。
- 电机控制：在小型电机驱动电路中扮演了重要角色，提升了其控制精度。
- 自动化设备：在自动化系统中，能够有效控制和管理负载器件的启停。
封装及安装
DMG6602SVT-7 采用 TSOT-23-6 表面贴装式封装，具有体积小、散热性能佳的特点，适合于各种空间受限的电路设计。此封装设计便于自动化焊接和集成在现代电子设备中，使得装配过程更加高效。
总结
总的来说，DMG6602SVT-7 是一款高效、可靠且多功能的 MOSFET 解决方案，适用于多种电子设备和不同工业应用。凭借其优异的电气特性和广泛的工作条件，DMG6602SVT-7 能够满足设计工程师的各种需求，成为现代电子产品中不可或缺的重要支撑元件。