DMG3406L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.018g
描述 :
场效应管(MOSFET) 770mW 30V 3.6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2878(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.533按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.533
--
200+
￥0.345
--
1500+
￥0.299
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3000+
￥0.266
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG3406L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.6A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 3.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 770mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 495pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG3406L-7手册
DMG3406L-7概述
产品概述: DMG3406L-7 N沟道 MOSFET
DMG3406L-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低电压和中等电流应用而设计。该器件由知名品牌 DIODES（美台）制造，具有优越的电气特性，能够在广泛的工作条件下稳定工作，使其成为现代电子设计中的理想选择。
主要参数和性能
漏源电压（Vdss）:
- DMG3406L-7 的最大漏源电压为 30V，适合于低压驱动应用，常用于开关电源、LED 驱动和电机控制等领域。
连续漏极电流（Id）:
- 在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流额定值为 3.6A，能够承受一定的电流载流能力，符合许多中小功率应用的需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）:
- 栅源极阈值电压最低可达 2V（在 250μA 时测得），使得该器件在低电压下能有效激活，适用于需要较低驱动电压的电路设计。
漏源导通电阻（Rds(on)）:
- 该MOSFET在 3.6A 和 10V 驱动下，导通电阻仅为 50mΩ，这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗，进而提高整体电路的效率。
功率耗散:
- 最大功率耗散能力为 770mW，这符合大多数中小功率应用的需求。与此同时，与环境温度的变化相结合，该产品可适应较为苛刻的工作条件。
工作温度范围:
- DMG3406L-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其能够在极端环境条件下长时间稳定运作，适合于工业、汽车及军事等要求高可靠性的应用场合。
封装类型:
- 该器件采用 SOT-23 表面贴装封装，其小型化设计满足了现代电子产品对空间和轻量化的需求，为密集的电路板布局提供了更多可能。
应用场景
DMG3406L-7 MOSFET 以其优越的电气特性，广泛应用于各类电子电路中，包括但不限于：
- 开关电源: 在电源转换和管理中，这款 MOSFET 可以作为开关器件，有效控制电能的流动。
- LED 驱动器: 其优异的导通特性使其在 LED 电源驱动中表现出色，可以提高光源的效率和稳定性。
- 电机驱动: 在小型电机控制器中，DMG3406L-7 可用作 H 桥电路中的开关元件，提供可靠的电流控制。
- 负载开关: 在自动化设备中，利用该 MOSFET 进行负载的切换，能够实现快速、响应灵敏的控制。
总结
DMG3406L-7 的设计结合了低电压驱动、优良的导通电阻以及宽广的工作温度范围，满足了多元化的应用需求。在进行现代电子产品设计时，该 MOSFET 无疑是一个值得考虑的选择，能够提升电路的稳定性和效率，增强产品的整体性能。无论是高效的开关电源还是小型化的 LED 驱动应用，DMG3406L-7 都具备了可靠的性能保障，是您电子设计中不可或缺的重要元件。