漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.5A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 130mΩ @ 2.8A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 800mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.5nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 608pF @ 6V | 功率耗散(最大值) | 800mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMG2301U-7是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要高效能和可靠性的电路应用。这款器件由知名半导体制造商DIODES(美台公司)生产,采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT)。作为一款20V、2.5A的场效应管,DMG2301U-7在低电压高电流的控制场合中表现尤为出色,带来良好的性能与热管理方案。其广泛应用于开关电源、负载开关、音频放大器及其他电子设备中。
DMG2301U-7采用SOT-23-3封装,尺寸小巧,便于在空间受限的应用中使用。其表面贴装设计提高了安装的灵活性和效率,同时也有助于热量的快速散发,进一步增强了器件的稳定性和可靠性。
与同类产品相比,DMG2301U-7展现出了较低的导通电阻和较高的电流处理能力,尤其是在低功率供电应用中的优势使其成为优选。其卓越的热性能,结合多种封装选项,为设计师在不同应用场合的设计提供了灵活性。另外,DIODES作为一家有声望的半导体制造商,其产品通常具有良好的质量保证和技术支持,使得客户在应用该器件时更有信心。
DMG2301U-7是一款集成了高效性能与良好热管理的一体化解决方案,适用于各类低电压应用场合。无论是开关电源、负载控制,还是音频信号处理,该器件都能够提供高效、稳定的性能表现,是电子设计工程师值得考虑的优质选择。通过符合广泛电气和环境标准,该MOSFET为电子产品的可靠性和安全性奠定了坚实的基础。