DMG2301U-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG2301U-7

商品编码: BM0000282663
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 2.5A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
15235(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.696
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.696
--
200+
¥0.232
--
1500+
¥0.145
--
3000+
¥0.1
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG2301U-7参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻130mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)800mW类型P沟道
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)130 毫欧 @ 2.8A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5VVgs(最大值)±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)608pF @ 6V功率耗散(最大值)800mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DMG2301U-7手册

DMG2301U-7概述

DMG2301U-7 产品概述

产品背景

DMG2301U-7是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要高效能和可靠性的电路应用。这款器件由知名半导体制造商DIODES(美台公司)生产,采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT)。作为一款20V、2.5A的场效应管,DMG2301U-7在低电压高电流的控制场合中表现尤为出色,带来良好的性能与热管理方案。其广泛应用于开关电源、负载开关、音频放大器及其他电子设备中。

主要特性

  1. 漏源电压(Vdss): 该器件具有20V的漏源电压,适合大多数低电压应用。
  2. 连续漏极电流(Id): 25°C时连续漏极电流可达2.5A,能够满足多种负载需求。
  3. 导通电阻(Rds on): 在2.8A和4.5V的驱动电压下,漏源导通电阻为130毫欧,这确保了器件在工作过程中功耗的降低,提高了能效。
  4. 栅源极阈值电压: 栅源阈值电压为1V(@ 250uA)意味着该MOSFET能够在较低的电平下开发出有效的导通能力,降低了所需的控制电压。
  5. 最大功率耗散: 在25°C环境下,最大功率耗散为800mW,有助于器件在高负载条件下安全稳定地运行。
  6. 广泛的工作温度范围: 适应-55°C至150°C的工作温度范围,使得DMG2301U-7可以在严酷环境下运行,保证了产品的可靠性与耐久性。

结构与封装

DMG2301U-7采用SOT-23-3封装,尺寸小巧,便于在空间受限的应用中使用。其表面贴装设计提高了安装的灵活性和效率,同时也有助于热量的快速散发,进一步增强了器件的稳定性和可靠性。

应用场合

  1. 开关电源: DMG2301U-7可以作为高效的开关元件,用于控制电源的开启与关闭,帮助实现功率管理和节能。
  2. 负载开关: 在低电平控制条件下,可以快速、有效地处理负载切换,支持各种家用电器和工业设备的自动化控制。
  3. 音频设备: 在音频放大器中,该器件可用于信号路径中的开关,保证音频信号的高保真传输。
  4. LED驱动: 在LED照明应用中,作为驱动开关,提供高效且稳定的电流管理,确保LED的正常工作。

竞争优势

与同类产品相比,DMG2301U-7展现出了较低的导通电阻和较高的电流处理能力,尤其是在低功率供电应用中的优势使其成为优选。其卓越的热性能,结合多种封装选项,为设计师在不同应用场合的设计提供了灵活性。另外,DIODES作为一家有声望的半导体制造商,其产品通常具有良好的质量保证和技术支持,使得客户在应用该器件时更有信心。

结论

DMG2301U-7是一款集成了高效性能与良好热管理的一体化解决方案,适用于各类低电压应用场合。无论是开关电源、负载控制,还是音频信号处理,该器件都能够提供高效、稳定的性能表现,是电子设计工程师值得考虑的优质选择。通过符合广泛电气和环境标准,该MOSFET为电子产品的可靠性和安全性奠定了坚实的基础。