DMG1012UW-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 290mW 20V 1A 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
34037(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.577按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.577
--
200+
￥0.192
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1500+
￥0.121
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3000+
￥0.0831
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG1012UW-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 450mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 290mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 600mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .74nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 290mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMG1012UW-7手册
DMG1012UW-7概述
DMG1012UW-7 产品概述
基本信息
DMG1012UW-7 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为低功耗应用设计。该器件采用 SOT-323（SC-70）表面贴装封装，适用于空间受限的应用，且在提供优异的电气性能的同时，占用很少的板空间。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）为 1A，以及最大功率耗散达到 290mW。
技术参数
电气特性:
- 漏源电压 (Vdss): 20V，这意味着该器件可以在高达 20V 的电压下稳定工作，适合多种应用。
- 连续漏极电流 (Id): 1A（在 25°C 条件下），确保在正常工作温度下具有足够的电流承载能力。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250µA，表明该 MOSFET 有较低的开启电压，使其能在低电压下有效工作。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 450mΩ @ 600mA, 4.5V，表现出良好的导电性能，降低了功耗，适合高频和高效率的开关应用。
- 最大功率耗散: 290mW，在高温环境下仍能保持稳定性。
输入与输出特性:
- 栅极电荷 (Qg): 0.74nC @ 4.5V，该值小，表明其在切换状态时的驱动功率消耗较低，适合用于高频应用。
- 输入电容 (Ciss): 60.67pF @ 16V，小输入电容意味着在高频操作下能保持快速响应特性。
工作条件:
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C，适用于严酷环境条件的应用，保证了器件在极端温度下的稳定性与可靠性。
封装与安装:
- 封装类型: SOT-323，表面贴装设计，方便自动化生产及编程。
- 安装类型: 表面贴装型（SMT），在现代电子设备中广泛应用，适合长时间使用且占用空间少。
应用领域
DMG1012UW-7 的设计使其非常适合于以下领域：
- 电源管理: 应用于各种 DC-DC 转换器和电源开关电路，尤其是在高频开关应用中表现良好。
- 消费电子: 由于其低功耗特性，非常适合智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备。
- 自动化设备: 在自动化控制系统中，作为功率控制和信号开关元件，提供高效能的开关解决方案。
- LED 驱动: 因其能够有效控制电流，提高 LED 驱动电路的可靠性与效率。
总结
总的来说，DMG1012UW-7 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET，因其优秀的电气特性与宽广的工作温度范围，在现代电子设备中愈发受到重视。其低导通电阻、高开关频率以及紧凑的封装形式，使其成为电源管理、消费电子及自动化设备等多种应用的理想选择。选择 DMG1012UW-7，不仅能够提高产品的整体性能，也能在设计功耗和尺寸方面提供良好的平衡。