DMC6040SSD-13
DMC6040SSD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.1A,3.1A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.24W | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A，3.1A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1130pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 1.24W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMC6040SSD-13手册
DMC6040SSD-13概述
产品概述：DMC6040SSD-13
DMC6040SSD-13 是一款由 DIODES（美台）生产的高性能场效应管（MOSFET），该器件结合了 N 沟道和 P 沟道的特性，具备广泛的应用潜力。其设计适合用于各种电子电路中，包括开关电源、马达驱动、反向保护电路等，能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的要求。
关键参数
漏源电压（Vdss）： DMC6040SSD-13 的最大漏源电压为 60V，使其适用于高压应用场景。
连续漏极电流（Id）： 在 25°C 的环境温度下，该器件的 N 沟道 MOSFET 连续漏极电流可达 5.1A，而 P 沟道则为 3.1A，这使得它能够处理较高的负载电流，适合在高功率应用中使用。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 栅极阈值电压为 3V（@ 250µA），为使用低电压逻辑级控制提供了便利，适合与 PWM 信号兼容的电路设计。
漏源导通电阻（Rds(on)）： 在 10V 时，8A 的漏源导通电阻为 40mΩ，这意味着其在导通状态下能显著降低功耗，提高整体效率。
最大功率耗散： 该器件的最大功率耗散为 1.24W（在 25°C 环境改变），这意味着其在进行大功率开关时有良好的热管理能力。
工作温度范围： 工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合恶劣的工作环境，满足军事和工业应用需求。
封装与安装
DMC6040SSD-13 采用表面贴装型（SMD）SO-8 封装，尺寸为 0.154"（3.90mm 宽）。这种封装形式可方便自动化贴装，提高生产效率，且节省电路板空间。SO-8 封装的热性能良好，使得器件的散热能力在高电流操作下更加可靠。
应用领域
基于其优异的电气性能和可靠性，DMC6040SSD-13 适用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器中使用，作为开关元件进行高效能量转换。
- 马达驱动：在无刷电机驱动和其他电动机控制应用中充当驱动开关。
- 电源保护：用于反向保护电路，确保电流方向正确，同时保护其他元件。
竞争优势
DMC6040SSD-13 的设计和制造基于 DIODES 的领先技术，具备较低的导通电阻和较高的电流能力，相比于市场上同类产品，提供了更高的效率和更低的热量产生。同时，其广泛的温度范围和强大的功率处理能力使其能够在各种极端环境下稳定工作，这为工程师在电路设计上提供了更大的灵活性。
总结
DMC6040SSD-13 是一款功能强大的 MOSFET 解决方案，结合了高电压、高电流与低导通电阻等出色性能，适用于多种电子应用。凭借其出色的热性能和宽广的工作温度范围，该产品无疑能够满足现代电子设计的高效性与可靠性需求，在电子产业中展现出其不可或缺的地位。