RZM002P02T2L
RZM002P02T2L参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.4nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 115pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | VMT3 | 封装/外壳 | SOT-723 |
RZM002P02T2L手册
RZM002P02T2L概述
RZM002P02T2L 产品概述
一、基本介绍
RZM002P02T2L 是一款由罗姆（ROHM）公司制造的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），该产品采用 SOT-723 封装形式，意在为各种低功耗与小型化电子设备提供高效的电源开关解决方案。其最大漏源电压为 20V，能够承载高达 200mA 的连续漏极电流，兼具较低的导通电阻和较高的工作温度，适合于多种工业与消费类电子应用。
二、核心参数
RZM002P02T2L 的主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：200mA @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds On）：1.2Ω @ 200mA, 4.5V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW
- 工作温度范围：最高可达 150°C
- 封装类型：SOT-723（VMT3）
三、性能特点
低导通电阻：在 200mA 电流下的导通电阻为 1.2Ω，这意味着在开关状态下有较低的功率损耗，提高了电源的整体效率。相对较低的 Rds On 值使得 RZM002P02T2L 非常适合用于电源切换与电流控制。
广泛的栅源电压：该 MOSFET 的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1V，意味着其能够在较低的电压下开启，简化控制电路的设计。此外，最大 Vgs 为 ±10V，增加了在各种应用中工作的灵活性。
高温工作能力：RZM002P02T2L 的工作温度可达 150°C，极大程度上扩展了其在高温环境下的应用范围，特别适合汽车电子、工业自动化以及高温处理设备。
紧凑的封装设计： SOT-723 封装使这款 MOSFET 在空间要求严格的电子设备中使用，如移动设备、便携式工具及传感器模块。
四、应用场景
RZM002P02T2L P 沟道 MOSFET 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源中作为开关元件，能够提供高效的电源转换。
- 负载切换：用于控制负载的开关，例如在LED驱动或电机控制电路中。
- 电池管理系统：在电池充电与放电过程中的开关控制，起到保护电池和延长电池寿命的作用。
- 信号切换：在数据通讯设备中进行信号的切换，稳定数据传输。
五、总结
罗姆的 RZM002P02T2L 是一款性能优异的 P 沟道 MOSFET，以其出色的导通特性、较高的工作温度、结合紧凑的封装设计，为现代电子产品提供了理想的解决方案。无论是用于电源管理、负载切换还是电池管理，其可靠性和经济性都使得 RZM002P02T2L 成为设计工程师们的优选组件。随着电子设备日趋小型化与智能化，未来 RZM002P02T2L 的应用潜力将更加广泛。