PUMD12,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PUMD12,115

商品编码: BM0000282620
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
592(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.298
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.298
--
200+
¥0.192
--
1500+
¥0.167
--
3000+
¥0.148
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMD12,115参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)1µA
频率 - 跃迁230MHz,180MHz功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP

PUMD12,115手册

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PUMD12,115概述

PUMD12,115 产品概述

一、产品简介

PUMD12,115 是一款高性能数字晶体管,由领先的电子元器件供应商 Nexperia(安世)出品,采用6-TSSOP封装形式。这种双晶体管包含一个NPN和一个PNP类型的预偏置晶体管,广泛应用于各种数字电路中,适合对电源切换、信号放大等场景的需求。

二、主要参数

PUMD12,115 的几个关键参数如下:

  1. 晶体管类型

    • 包含1个NPN和1个PNP晶体管,预偏置设计使其在低信号应用中表现出色。
  2. 电流和电压指标

    • 集电极电流 (Ic) 最大值为100mA,适应多种负载要求。
    • 集射极击穿电压 (Vce) 最大值为50V,提供安全边际以避免损坏。
  3. 增益参数

    • DC电流增益 (hFE) 在特定条件下(5mA电流,5V电压)最小值为80,确保在低输入信号时依然可以获得良好的输出。
  4. 饱和压降与截止电流

    • 在500µA基极电流和10mA的集电极电流下,Vce饱和压降的最大值为150mV,确保效能与效率的平衡。
    • 最大集电极截止电流为1µA,表明其在关断状态下的低泄漏特性,有助于提高总体电路效率。
  5. 频率响应

    • 该晶体管具有相对较高的跃迁频率,NPN为230MHz,PNP为180MHz,适用于高频信号处理。
  6. 功率和安装

    • 最大功耗为300mW,适合多种散热需求的设计。
    • 表面贴装型的安装方式使得其可以轻松集成入现代紧凑型电路中。

三、应用场景

PUMD12,115 的设计使其非常适合于数字电路中的各种应用,主要包括但不限于:

  1. 开关电路:该晶体管可以高效率地工作于开关模式,适合用于开关电源和电机驱动等方案。

  2. 信号放大:由于具备良好的电流增益特性,它能够在音频放大及射频放大等应用场景中表现出色,确保信号的放大与稳定。

  3. 电源管理:用于各种电源管理电路,能够有效控制电流,并在必要情况下提供较低的漏电流,满足能效标准的要求。

  4. 数字逻辑电路:该型号的晶体管特别适用于数字开关电路,能与逻辑集成电路(ICs)配合,以实现信号的高效控制和切换。

四、封装设计

PUMD12,115 采用了紧凑的6-TSSOP封装,支持表面贴装,适合高密度电路板设计。这种封装配置不仅提升了产品的焊接性能,也有助于节省PCB空间,提升产品的整体可靠性。

五、总结

PUMD12,115 是一款功能强大,性能优越的数字晶体管,结合了NPN和PNP结构的设计特点,适合于多种电子应用环境。其优秀的电流增益、低饱和压降以及出色的频率响应使其成为开发现代电子设备时的不二选择。无论是开关电源、信号放大还是电源管理,该产品都可以为设计者提供高效能和高性价比的解决方案。