PSMN2R0-30YL,115
PSMN2R0-30YL,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.15V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 2mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 97W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3980pF @ 12V | 功率耗散（最大值） | 97W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN2R0-30YL,115手册
PSMN2R0-30YL,115概述
产品概述：PSMN2R0-30YL,115
PSMN2R0-30YL,115 是一款由安世半导体（Nexperia）公司制造的高效率 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），广泛应用于现代电子设备中。该 MOSFET 具有优异的电流承载能力和低导通电阻，适合在各种功率管理和信号传输应用中使用。接下来，我们将详细介绍该元器件的主要参数及其应用场景。
主要参数
漏源电压（Vdss）: PSMN2R0-30YL,115 的最大漏源电压为 30V，意味着它能够在高达 30V 的电压下正常工作。对于许多低至中等电压应用，30V 的额定电压提供了良好的安全余量。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流可达到 100A（Tc）。这使得 PSMN2R0-30YL,115 适合在高电流应用中使用，特别是在电源管理、马达驱动和高功率开关中。
导通电阻（Rds(on）: 该器件在 10V 的栅源电压下，对于 15A 的泄漏电流，导通电阻仅为 2mΩ。这一特性确保了在运行时的能量损耗最小化，提高了系统的整体效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源阈值电压为 2.15V @ 1mA，保证了在较低的栅电压下 MOSFET 也能够顺利开启，并且在 4.5V 至 10V 的范围内，其导通性能得到了有效提升。
驱动电压: 该器件对驱动电压的要求灵活，最小驱动电压为 4.5V，最大可达 10V，适合多种控制电路的工作条件。
输入电容（Ciss）: 在 12V 的条件下，输入电容为 3980pF，使得它具备较快的开关特性，适合高频率应用。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 64nC @ 10V，影响开关速度和驱动电路的功耗。较低的栅极电荷使得驱动电路设计更加简单高效。
工作温度: 它的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适用于工业、汽车及航空航天等领域。
封装与安装: PSMN2R0-30YL,115 的封装形式包括 LFPAK56 及 Power-SO8，采用表面贴装设计，便于在各类印刷电路板（PCB）上进行高效安装。
应用场景
由于其高性能和多样化的参数，PSMN2R0-30YL,115 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
电源管理: 该 MOSFET 可应用于 DC-DC 转换器、高效电源供应和电源适配器，能够提升系统的能效和功率密度。
电动机驱动: 其高电流能力和低导通电阻使得 PSMN2R0-30YL,115 非常适合用于电动机驱动，尤其在新能源汽车和工业自动化领域的电机控制中得以应用。
电池管理系统: 在可再生能源和储能系统中，该 MOSFET 可以用于电池管理和充电控制，帮助优化电池性能和延长使用寿命。
开关电路: 本器件具备优秀的开关特性，适合用于各种开关电路中，如继电器替代品、污水处理设备和其他工业应用。
总结而言，PSMN2R0-30YL,115 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET，其高电压与电流特性、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，使其能够满足各种高性能应用的需求。无论在电源管理、马达驱动还是复杂的开关电路中，该产品均表现出色，是现代电子设计中的理想选择。