PMEG4002EB,115
PMEG4002EB,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 40V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 600mV @ 200mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 600mV @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 25V | 不同 Vr、F 时电容 | 20pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
PMEG4002EB,115手册
PMEG4002EB,115概述
PMEG4002EB,115 产品概述
一、简介
PMEG4002EB,115 是由全球知名的半导体制造商 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能肖特基二极管。该产品以其低正向压降、高反向耐压及高整流电流特性而受到广泛青睐，适用于各种电子应用场景。PMEG4002EB,115 的设计特点使其非常适合用于高效率的电源管理、电压调节和信号整流等领域。
二、主要参数
直流反向耐压 (Vr): 该元件的最大反向耐压为 40V，能够承受多种电源环境下的反向电压，这使其在面对瞬态电压事故时具备较好的安全性。
平均整流电流 (Io): 该型号的平均整流电流能力为 200mA，适合大多数中等功率应用场景，可用于交流到直流的转换过程中，满足了常见电子电路的需求。
正向压降 (Vf): 在 200mA 的负载电流下，正向压降为 600mV，这种低的正向压降有助于提高电路的整体效率，尤其是在需要频繁开关的应用中，能显著降低功耗及热量产生。
反向泄漏电流: 在 25V 的反向电压下，PMEG4002EB,115 的反向泄漏电流被控制在 500nA，这使其在保持高效性能的同时，确保系统的可靠性。
电容: 在 1V 及 1MHz 的测试条件下，其结电容为 20pF，能够适应高频率信号的处理需求，符合小信号应用的特点。
工作温度: 该运作结的最高温度可达 150°C，适合在温度变化较大的工作环境中使用。
三、封装与安装类型
PMEG4002EB,115 采用 SOD-523 封装，属于表面贴装型（SMD）元件。这种封装不仅节省 PCB 空间，方便自动化装配，还能有效提高电路的抗干扰能力。此外，SOD-523 的小型化设计使得其在高密度电路板上的应用更加灵活。
四、应用场景
由于 PMEG4002EB,115 具备优异的电性能和工作特性，这款肖特基二极管非常适合如下应用：
电源管理系统: 在电源适配器、DC-DC 转换器和其他电源管理解决方案中，PMEG4002EB 能够提供高效的整流和反向保护，有效提升电源效率。
信号整流: 可用于小信号处理电路中，如无线通信、音频信号整流等领域，满足对低噪声和高效率的要求。
逆向保护: 在许多电路设计中，需要防止反向电流对电路造成损害。PMEG4002EB,115 能作为专用的反向保护二极管，提供可靠的保护。
高频应用: 由于其低正向压降和较小结电容，该二极管适用于高频开关电源和高频RF应用。
五、总结
PMEG4002EB,115 是一款设计精良、性能卓越的肖特基二极管，适合多种消费电子、工业和通信设备应用。它结合了高反向耐压、低正向压降和强大的整流能力，为设计工程师提供了可靠的解决方案。Nexperia 作为全球领先的半导体制造商，其产品不仅具备良好的性能指标，还能满足客户在不同应用领域的需求，是提升电子产品整体性能的理想选择。