极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 4.8A (8/20us) |
箝位电压 | 12.5V | 击穿电压(最小值) | 5.8V |
反向关断电压(典型值) | 5V | 类型 | 齐纳 |
双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 5.8V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 12.5V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 4.8A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 45W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
不同频率时电容 | 11pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-882 |
供应商器件封装 | SOD-882 |
PESD5V0V1BL 是由著名的电子元器件制造商 Nexperia(安世半导体)推出的一款双向瞬态抑制二极管(ESD二极管),采用 SOD-882 / DFN1006-2 封装。该器件专为保护敏感电子设备而设计,尤其适用于汽车和其他高要求的应用场景,具备出色的ESD保护性能。
PESD5V0V1BL 由于其优越的瞬态电压抑制特性和高可靠性,广泛应用于以下领域:
PESD5V0V1BL 采用表面贴装型设计,便于进行自动化生产和快速组装,降低生产成本。其 SOD-882 封装为现代电子设备的小型化和高密度布线提供了理想的解决方案。
PESD5V0V1BL 是一款性能卓越的双向 ESD 二极管,不仅在电气特性和耐久性方面表现出色,而且在结构设计和应用灵活性上也展现了 Nexperia 的高水准。其在汽车级应用领域的成功案例及广泛的适用性,使其成为保护敏感电子器件的重要选择。针对现代电子设备日益复杂的保护需求,PESD5V0V1BL 提供了强大而可靠的解决方案,是电子设计工程师值得选择的重要组件之一。
凭借其全面的性能指标,PESD5V0V1BL 为工程师在设计中提供了充分的安全保护保障,为设备的长久使用提供了有力支持。