NX7002AKS,115
NX7002AKS,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 170mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4.5Ω @ 100mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 220mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.43nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 17pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 220mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
NX7002AKS,115手册
NX7002AKS,115概述
NX7002AKS,115 产品概述
一、基本信息
NX7002AKS,115是一款由安世（Nexperia）生产的双N沟道场效应晶体管（MOSFET），它采用了经验证的半导体技术，具备紧凑的表面贴装封装，适用于需要高效能与小型化设计的电子应用。该元器件在多个电气参数上表现出优秀的性能，包括漏源电压（V_DSS）、连续漏极电流（I_D）等，能够满足现代电子设备对低功耗和高效能的需求。
二、核心参数
NX7002AKS,115的主要技术参数包括：
- 漏源电压（V_DSS）: 60V
- 连续漏极电流（I_D）: 170mA（在25°C环境温度下）
- 栅源阈值电压 (V_GS(th)): 2.1V @ 250µA
- 最大功率耗散: 220mW（在25°C时）
- 漏源导通电阻 (R_DS(on)): 4.5Ω @ 100mA，V_GS = 10V
- 输入电容 (C_iss): 17pF @ 10V
- 栅极电荷 (Q_g): 0.43nC @ 4.5V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
三、功能与应用
作为一种逻辑电平门，NX7002AKS,115适用于多种数字电路和模拟电路中，能够高效控制负载。其高开关速度和低导通电阻使其适合用作开关元件，尤其是在电源管理、负载驱动、电机控制等应用中。
在高频应用场景中，低输入电容 (C_iss: 17pF) 和栅极电荷 (Q_g: 0.43nC) 特性确保了快速充放电，使得该MOSFET能够有效地减少开关损耗。这对于提高电源电路的整体效率至关重要。
四、高温应用的平稳表现
NX7002AKS,115的工作温度范围达到了-55°C至150°C，使其在极端环境条件下仍然能够稳定运行。这一特性使得该元器件非常适合航空航天、汽车电子和工业控制等要求高可靠性的应用领域。
五、封装与设计
NX7002AKS,115采用了6-TSSOP包，属于表面贴装型设计。该封装方式不仅减小了元件的体积，还便于自动化焊接，适应了现代电子设备追求的高集成度和小型化趋势。设计师在进行电路设计时，可以利用这种小巧的封装，腾出更多空间用于其他功能组件，从而增强整体设计的灵活性。
六、竞品分析
与市场上同类产品相比，NX7002AKS,115在耐压和电流处理能力上具有一定优势。此外，其低导通电阻和开关损耗参数不仅符合现代低功耗设计的需求，还在功率管理系统中提供了更高的效率。
七、总结
NX7002AKS,115是一款性能优越的双N沟道MOSFET，具备广泛的应用潜力和市场竞争力。它的低导通电阻、宽广的工作温度区间以及出色的电气特性使其成为现代电子设备的重要组成部分。在电源管理、负载驱动等多种应用中，NX7002AKS,115都能够提供稳定的性能支持，是各类设计工程师和开发人员值得青睐的选择。无论是在手机、家电，还是工业控制系统中，NX7002AKS,115都能为电子产品提供强有力的功能支持。