MURS120T3G
MURS120T3G参数
| 反向恢复时间（trr） | 35ns | 直流反向耐压（Vr） | 200V |
| 平均整流电流（Io） | 2A | 正向压降（Vf） | 875mV @ 1A |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 2A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 875mV @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 35ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 200V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB | 供应商器件封装 | SMB |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
MURS120T3G手册
MURS120T3G概述
产品概述：MURS120T3G 快恢复二极管
一、产品简介
MURS120T3G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）出品的一款高性能快恢复二极管，适用于各种电力电子应用，如开关电源、逆变器、和其他高频电源电路。其设计旨在满足现代电子设备对高效率、高稳定性和小型化的需求，充分体现了安森美在半导体领域的技术领先性。
二、技术规格
- 反向恢复时间（trr）: 35ns
- 直流反向耐压（Vr）: 200V
- 平均整流电流（Io）: 2A
- 正向压降（Vf）: 875mV @ 1A
- 电流 - 反向泄漏（Ir）: 2µA @ 200V
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: DO-214AA，SMB
- 工作温度: -65°C ~ 175°C
MURS120T3G 的设计特点包括其快速恢复特性，确保了在高频应用中能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。
三、性能优势
快速恢复特性：MURS120T3G 的反向恢复时间为35ns，使其在高频开关电路中表现出色。这一特性能显著降低逆向恢复损耗，特别适用于开关电源和脉冲应用。
低正向压降：其正向压降为875mV（在1A条件下），在较低功耗下仍能保持良好的导通效果，从而提高了整体能效，降低了热损耗。这对于需要高效率和小型化的现代电子设备尤其重要。
卓越的温度稳定性：工作温度范围广泛（-65°C ~ 175°C），使 MURS120T3G 能够在极端环境中稳定工作，适用于航空航天、汽车和工业领域等严苛环境。
超低反向泄漏电流：应用环境中，反向泄漏电流仅为2µA @ 200V，确保了在高电压条件下的最低功耗，从而提升系统的可靠性。
表面贴装封装：采用 SMB 封装形式，符合现代小型化电路板的要求，与其它组件兼容性良好，实现高密度的电路设计。
四、应用领域
MURS120T3G 的多项优良特性使其适用于一系列应用场合，包括但不限于：
开关电源：在高频和高效能的开关电源设计中，MURS120T3G 能为设计者提供出色的性能和效率。
DC-DC 变换器：在处理直流电源转换时，其快速恢复特性帮助降低转换过程中的能量损耗。
电机驱动电路：在脉冲宽度调制（PWM）控制的电机驱动电路中，该二极管可以有效制约开关过程中的电能损失。
逆变器：适用于光伏和风能等新能源系统中的逆变器中，有助于提升转换效率和整体性能。
五、总结
MURS120T3G 是技术先进的快恢复二极管，由安森美半导体提供，是现代高效电源模块的理想选择。凭借其优秀的电气性能、稳定的可靠性以及广泛的应用范围，该产品成为了电气工程师在高效电源设计和相关领域中不可或缺的重要元件。
无论是在新产品开发还是电源设计优化中，MURS120T3G 都是高效、稳定和小型化元件的代表，适合追求高性能与高可靠性的用户。选用 MURS120T3G，将帮助您在各种应用中实现更优的电源解决方案。