晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 300V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 2mA,20mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 30mA,10V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
一、概述
MMBTA42-7-F是一款高性能的NPN晶体管,属于双极性晶体管(BJT)的类别,主要用于增强电流放大和开关应用。该产品是由DIODES(美台)公司制造,采用SOT-23封装,适合各种表面贴装技术(SMT)应用。其工作频率高达50MHz,使其非常适合于高频信号放大和开关控制电路中。
二、主要参数
三、应用领域
得益于其高电压、高电流和低功耗的特性,MMBTA42-7-F广泛应用于多个领域,包括但不限于:
四、设计与实现
在电路设计过程中,使用MMBTA42-7-F时,需考虑以下几点:
五、总结
MMBTA42-7-F作为一款高性能的NPN晶体管,凭借其优越的电性能参数和广泛的应用可能,成为电子设计工程师的理想选择。无论是在开关电源、音频放大器还是工业控制中,它都能提供可靠和高效的解决方案。借助其出色的温度适应性和小尺寸的SOT-23封装,MMBTA42-7-F适合于现代电子产品追求小型化与高性能的趋势。在设计新产品时,MMBTA42-7-F都可作为可选的关键元件,以确保设计的成功。