MMBTA42-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBTA42-7-F

商品编码: BM0000282486
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.033g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 300V 500mA NPN SOT-23
库存 :
3359(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.731
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.731
--
200+
¥0.244
--
1500+
¥0.153
--
3000+
¥0.105
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTA42-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce300V额定功率300mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)300V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 2mA,20mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 30mA,10V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁50MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

MMBTA42-7-F手册

MMBTA42-7-F概述

MMBTA42-7-F 产品概述

一、概述

MMBTA42-7-F是一款高性能的NPN晶体管,属于双极性晶体管(BJT)的类别,主要用于增强电流放大和开关应用。该产品是由DIODES(美台)公司制造,采用SOT-23封装,适合各种表面贴装技术(SMT)应用。其工作频率高达50MHz,使其非常适合于高频信号放大和开关控制电路中。

二、主要参数

  1. 晶体管类型: NPN
  2. 集电极电流 (Ic): 最大500mA,适合中等功率处理。
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 最大可达到300V,保证了在高电压应用中的稳定性。
  4. 额定功率: 300mW,可以在不同环境下高效工作。
  5. 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同电流(Ib、Ic)下,最大对应的饱和压降为500mV(在2mA,20mA时测试),低饱和压降有利于提高电路效率。
  6. 集电极截止电流 (ICBO): 最大100nA,表明在关闭状态下电流泄漏较小,适合高效能的电路设计。
  7. 直流电流增益 (hFE): 在30mA,10V情况下,最小增益为40,有助于提高信号放大的效率。
  8. 频率响应: 跃迁频率高达50MHz,确保了在高速信号处理中良好的响应性能。
  9. 工作温度范围: -55°C至150°C,具备较高的环境适应性,适用于苛刻的工作环境。
  10. 封装类型: SOT-23, 具有较小的封装尺寸,适合于空间受限的应用。

三、应用领域

得益于其高电压、高电流和低功耗的特性,MMBTA42-7-F广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 在开关电源中可用于高效控制电路,保证高效的能量传输。
  2. 音频放大器: 由于其较高的增益特性,适合用于音频信号的放大。
  3. 低功耗电子产品: 适合用于便携式电子设备中,以减少待机功耗。
  4. 汽车电子: 能够在宽广的工作温度范围内稳定工作,适合各种汽车电子模块。
  5. 工业设备: 在各种工业控制器和传感器中,提供可靠的开关和放大功能。

四、设计与实现

在电路设计过程中,使用MMBTA42-7-F时,需考虑以下几点:

  1. 偏置设置: 确保正确偏置,以实现最佳的工作点,避免过载或损坏。
  2. 散热设计: 虽然其额定功率为300mW,但在高负载情况下仍需适当的散热措施,以保持工作温度在安全范围内。
  3. 电源过滤: 由于该器件应用于高频电路,适当的电源过滤及去耦措施可以减少噪声,并提高电路的稳定性。
  4. PCB布局: 在布局PCB时,需要考虑尽可能缩短信号线和电源线的长度,以减少干扰和寄生电感的影响。

五、总结

MMBTA42-7-F作为一款高性能的NPN晶体管,凭借其优越的电性能参数和广泛的应用可能,成为电子设计工程师的理想选择。无论是在开关电源、音频放大器还是工业控制中,它都能提供可靠和高效的解决方案。借助其出色的温度适应性和小尺寸的SOT-23封装,MMBTA42-7-F适合于现代电子产品追求小型化与高性能的趋势。在设计新产品时,MMBTA42-7-F都可作为可选的关键元件,以确保设计的成功。