MMBT5401-TP
MMBT5401-TP参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 150V | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBT5401-TP手册
MMBT5401-TP概述
MMBT5401-TP 产品概述
产品类型与应用
MMBT5401-TP是一款高性能的PNP型双极型晶体管(BJT)，主要应用于开关和放大电路。这款晶体管的设计适用于各种电子设备，包括消费类电子产品、通信设备和工业控制系统。其出色的工作温度范围、频率响应和电流承载能力使其成为许多不同类型电路的理想选择。
关键规格
电流和功率：MMBT5401-TP的最大集电极电流（Ic）为600 mA，这使得它能够应对较高的负载需求。此外，其最大功率为300 mW，能够在多种操作条件下稳定工作。
电压性能：该晶体管的集射极击穿电压（Vce）最大为150 V，能够承受较高的电压，从而保证其在电压波动较大的应用中的安全性和可靠性。
电流增益：在典型条件下，该晶体管的直流电流增益（hFE）最小值为100 @ 10 mA，5 V。这意味着在适当的基极电流下，MMBT5401-TP能够提供较高的集电极电流，这对于高效的放大电路至关重要。
频率响应：其频率跃迁特性达到了100 MHz，适合高频应用。这使得MMBT5401-TP可以在现代电子设备中实现快速信号处理。
饱和压降：在不同的基极和集电极电流条件下，该晶体管的集电极-发射极饱和压降（Vce( sat)）最大为500 mV @ 5mA，50mA，这对于高效的开关操作是非常重要的。
温度范围：适用的工作温度范围为-55°C至150°C，使得MMBT5401-TP能够在极端环境下稳定工作。这一特性特别适合航空航天、汽车及工业应用中对可靠性要求较高的场合。
封装和安装：MMBT5401-TP采用表面贴装型(SMD)封装，符合SOT-23标准，能够有效节省空间并提升生产效率。这一封装也支持自动化贴片生产，便于大批量生产。
应用场景
由于其卓越的特性，MMBT5401-TP能够广泛应用于以下场景：
音频放大器：其高增益和宽频带特性使其适合用于音频信号的放大，为音频设备提供高质量的输出。
开关电路：在高电流和高电压条件下，能够有效地进行信号开关操作，适用于各种控制电路。
线性放大器：在信号处理应用中，MMBT5401-TP可用于线性放大器电路，实现高保真度的信号放大。
汽车电子：其广泛的工作温度范围和可靠性使其适合汽车电子控制单元，能够在复杂的汽车环境中稳定工作。
总结
MMBT5401-TP是一款性能出色的PNP型双极型晶体管，凭借其600 mA的电流处理能力、150 V的电压承载能力，以及在极端温度下的稳定性，成为众多电子应用中的理想选择。它的高增益特性和频率响应也使其在现代电子电路中表现出色。凭借其在消费电子、通信和工业控制系统等领域的广泛适用性，MMBT5401-TP注定将在多个行业中扮演重要角色。