额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 200mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
功率 - 最大值 | 250mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-UFDFN | 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
MMBT3904LP-7B是一款广泛应用的NPN型三极管,属于小信号晶体管系列,具有强大的功率处理能力和频率响应,适用于各类电子设备的信号放大和开关功能。其设计和规格使得该元件在低功耗、高效率的应用中表现出色,尤其适合用于便携式设备、计算机周边设备、家电及其他消费类电子产品。
额定功率:250mW
MMBT3904LP-7B在正常工作条件下提供可靠的功率处理能力,使其适合用于电流不超过200mA的应用场景。
集电极电流(Ic):最大200mA
此集电极电流允许该三极管在较高负载条件下工作,适合各种需要信号放大的场合。
集射极击穿电压(Vce):最大40V
良好的击穿电压特性使得MMBT3904LP-7B能在多种电源环境下稳定工作,确保了其广泛的应用灵活性。
饱和压降:300mV @ 5mA,50mA
该元件在工作时提供低饱和压降,有助于降低功耗,提高电路的整体效率。
直流电流增益(hFE):最小值100 @ 10mA,1V
优秀的电流增益确保了其在信号放大方面的有效性能,能够在多个应用场合中实现高效的信号调制。
频率特性:跃迁频率达到300MHz
适合用于高频信号传输的应用场景,如RF信号处理和高速开关电路。
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
广泛的工作温度范围使得MMBT3904LP-7B适应恶劣的工作环境,在很多工业和商业应用中都能得到可靠的表现。
封装:表面贴装型(DFN-3/1x0.6)
紧凑的封装设计使得该三极管易于集成在各种电路板上,节省空间并提高装配效率。
MMBT3904LP-7B的设计和性能使其成为众多电子产品中的理想选择,主要应用包括:
总体而言,MMBT3904LP-7B因其高效能、可靠性和广泛的适用性,成为电子设计领域中不可或缺的基础元器件之一。针对其卓越的性能,其在小型电子设备,尤其是需要高效信号处理或低功耗操作的场景中显示出极大的价值。选择MMBT3904LP-7B,意味着选择了一款经过市场验证的高品质NPN三极管,能够推动各种现代电子设备的创新与进步。