反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 75V |
平均整流电流(Io) | 200mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 75V |
电流 - 平均整流 (Io) | 200mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
MMBD914-7-F 是一款由美台(DIODES)公司制造的标准开关二极管,它广泛应用于电子工程领域,尤其是在高频开关电源、信号整流及快速开关电路中。这款二极管以其优越的性能参数和小巧的封装形式,成为了众多设计师和工程师的首选元件之一。
反向恢复时间(trr): 4ns
这一参数表明在开关电路中,反向恢复时间较短,使得 MMBD914-7-F 能够在高频操作下保持良好的性能,适合用于快速开关应用。
直流反向耐压(Vr): 75V
MMBD914-7-F 可承受的最大反向电压为75V,保证了其在各种电压条件下的稳定性能,适应多种应用场景。
平均整流电流(Io): 200mA
最大平均整流电流为200mA,符合大多数低功率设备的需求,且能够在不损失性能的情况下高效工作。
正向压降(Vf): 1.25V @ 150mA
在150mA的工作条件下,其正向压降维持在1.25V,这一低压降特性有效降低了功耗,提升整体效率。
反向泄漏电流: 1µA @ 75V
在额定的反向电压下,仅有1µA的反向泄漏电流,进一步增强了其电气质量与可靠性。
工作温度范围: -65°C ~ 150°C
宽广的工作温度范围使得这款二极管可以在极端环境下稳定工作,适用于多种工业和军事应用。
MMBD914-7-F 使用 SOT-23 封装,这是一个非常流行的表面贴装型(SMD)封装形式。这一封装不仅节省了PCB空间,还简化了自动化生产过程。小型化设计使其特别适合于便携式电子设备以及高密度布局的应用场合。
由于其出色的电气性能,MMBD914-7-F 被广泛应用于以下几个领域:
开关电源:在电源转换器中,该二极管可用于整流和保护,改善转换效率。
信号处理:在高速信号传输过程中,MMBD914-7-F 的快速开关特性能够有效减少信号失真与延迟。
自动化设备:在各种检测和控制系统中,MMBD914-7-F 为信号的传输及隔离提供了可靠的解决方案。
通信设备:该二极管能够在高频率下保持稳定的性能,适用于各种通讯设备的信号整流和保护用途。
总体而言,MMBD914-7-F 是一款高度可靠且性能卓越的标准开关二极管,凭借其短反向恢复时间、低正向压降以及宽工作温度范围,成为了业界推崇的优秀元器件之一。它的多元化应用场景使其在电子设计中具有重要的地位,特别是在需要高频开关和高效整流的应用中,能有效满足工程师的需求。因此,如果您正在寻找一款适合于多种环境和应用的开关二极管,MMBD914-7-F 无疑是一个理想的选择。