晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 4V @ 80mA,8A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 4A,4V |
功率 - 最大值 | 1.75W | 频率 - 跃迁 | 4MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | DPAK |
MJD127T4G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 PNP 达林顿型晶体管,专为高功率和高增益应用而设计。此器件的广泛应用包括电源管理、开关电路和其他需要高电流放大的场合。其强大的性能,使其成为电子设计师在寻求高效能替代方案时的理想选择。
MJD127T4G采用 DPAK (TO-252-3) 表面贴装封装,具有两个引线及接片,适合现代电子产品的高密度布板设计。这种封装形式不仅节省空间,也有助于提高散热性能,确保器件在工作时能有效散热。
MJD127T4G主要适用于以下应用:
MJD127T4G 的一个显著优势在于其极高的 DC 电流增益(hFE),使得设计师在设计时所需的基极驱动电流显著减少。同时,达林顿结构确保了该器件能够在较大的负载电流下提供稳定的性能,极大提高了设计的灵活性和可靠性。
总之,MJD127T4G 是一款结合了高电流承载能力、高增益和良好温度适应性的 PNP 达林顿晶体管。其在现代电子应用中的广泛适应性,使其成为多种应用领域的理想选择。无论是在高压电源管理、电动机驱动,还是音频放大器设计中,MJD127T4G 都能展现出优秀的性能,帮助设计师实现卓越的设计效果。