SIS434DN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.6mΩ @ 16.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 52W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.6 毫欧 @ 16.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1530pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS434DN-T1-GE3手册
SIS434DN-T1-GE3概述
SIS434DN-T1-GE3 产品概述
SIS434DN-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 PowerPAK® 1212-8 封装，专为要求高效率和高功率处理能力的应用场合设计。其主要参数包括最大漏源电压（Vdss）为 40V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达 35A，以及导通电阻（Rds(on)）仅为 7.6mΩ，这些特性使该器件在电子电路中表现出色。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 能够承受的最大漏源电压为 40V，这意味着它能够在许多低至中电压的电子电路中可靠工作，具有很好的适用性。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，SIS434DN-T1-GE3 的连续漏极电流高达 35A（以 Tc 为基准），这使得它能适应多种高电流应用，如电源管理电路和电机驱动。
导通电阻（Rds(on)）: 最大导通电阻值为 7.6mΩ（在 10V 的栅源电压和 16.2A 的漏极电流下测量），这意味着该 MOSFET 在开启状态下能够实现极低的功耗和热损耗，有助于提高整体系统效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 2.2V（在 250µA 下测量），降低了开启 MOSFET 所需的栅压，从而使其在各种驱动电路中可靠工作。
最大功率耗散: 该器件在 25°C 环境下的最大功率耗散为 3.8W，而在结温（Tc）为 25°C 时最大功率耗散达到了 52W, 这意味着即使在高负载条件下，该 MOSFET 也具有良好的热管理特性。
工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 到 +150°C，适合用于各种苛刻的工业和汽车应用，有助于实现高可靠性。
应用场景
SIS434DN-T1-GE3 由于其出色的电气性能和高功率处理能力，广泛适用于以下应用场合：
电源管理: 在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和其他电源管理设备中，该 MOSFET 可以用作主要的功率开关，以实现高效转换和功率控制。
电机控制: 该器件可用于直流和步进电机的驱动电路，能够提供稳定的电流和高效的能量利用。
汽车电子: 在汽车电气系统中，如电动助力转向、制动控制和动力总成控制中，SIS434DN-T1-GE3 能够满足高负载和高温环境下的性能要求。
消费电子产品: 由于其小型化设计，该 MOSFET 可用于各种便携设备和消费电子产品中，帮助实现更长的电池寿命和更小的体积。
结论
SIS434DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有卓越的电气特性，适合广泛的应用领域。凭借其低导通电阻、高电流承载能力和优异的热管理能力，该器件为设计工程师提供了极大便利，助力于各种高效和高功率电子解决方案的实现。适用于多种电子电路的设计，该 MOSFET 是高性能电源管理和驱动应用的不二选择。随着电子产品向更高效率与紧凑设计的发展，SIS434DN-T1-GE3 无疑是满足这些需求的理想选择。